[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层；

形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层；其中，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅电极位于所述基板上；

所述栅电极保护层位于所述栅电极上；

所述半导体层位于所述栅电极保护层上；

所述刻蚀阻挡层位于所述半导体层上；

所述源电极和漏电极位于所述刻蚀阻挡层上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述半导体层位于所述基板上；

所述刻蚀阻挡层位于所述半导体层上；

所述源电极和漏电极位于所述刻蚀阻挡层上；

所述栅电极保护层位于所述源电极和漏电极上；

所述栅电极位于所述栅电极保护层上。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括两个漏电极，第一漏电极和第二漏电极；

第一漏电极、第二漏电极，以及源电极之间的连线构成一直线或构成以源电极为顶角的等腰三角形。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括三个漏电极，第一漏电极、第二漏电极和第三漏电极；

第一漏电极、第二漏电极，以及源电极的连线构成以源电极为顶角的等腰三角形；以及

第二漏电极、第三漏电极，以及源电极的连线构成以源电极为顶角的等腰三角形。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物半导体层，所述半导体层在基板上的垂直投影面积不小于且覆盖源电极、漏电极以及导电沟道在基板上的垂直投影面积。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至6所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

采用构图工艺在基板上形成栅电极、源电极，漏电极，以及半导体层的过程，其中每一薄膜晶体管包括至少两个漏电极；以及

采用构图工艺在基板上形成位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，和位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层的过程。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法，具体为：

采用构图工艺在基板上形成栅电极；

采用构图工艺在所述栅电极上形成栅电极保护层；

采用构图工艺在所述栅电极保护层上形成半导体层；

采用构图工艺在所述半导体层上形成刻蚀阻挡层；

采用构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成源电极和漏电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法，具体为：

采用构图工艺在基板上形成半导体层；

采用构图工艺在所述半导体层上形成刻蚀阻挡层；

采用构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成源电极和漏电极；

采用构图工艺在所述源电极和漏电极上形成栅电极保护层；

采用构图工艺在所述栅电极保护层上形成栅电极。