[发明专利]倒置型有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种倒置型有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阴极、有机发光功能层和阳极，其特征在于，还包括设置于所述阴极和有机发光功能层之间的pn结层，所述pn结层包括依次层叠于所述阴极上的p型层、中间层和n型层；其中，所述p型层由p型半导体材料掺杂于空穴传输材料中形成，所述p型半导体材料占所述p型层的质量百分比为2~10%；所述中间层由金属氧化物形成；所述n型层由n型半导体材料掺杂于电子传输材料中形成，所述n型半导体材料占所述n型层的质量百分比为2~20%；所述有机发光功能层包括依次层叠于n型层上的电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。

2.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述p型半导体材料为2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈。

3.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物为三氧化铼、三氧化钨、三氧化钼、五氧化二钒或三氧化二铋。

4.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述n型半导体材料为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯、碳酸铯或氟化铯。

5.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯。

6.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输材料为(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物。

7.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述p型层的厚度为5~20纳米，所述中间层的厚度为1~4纳米，所述n型层的厚度为5~20纳米。

8.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物；所述阳极的材料为金、铜或镍。

9.根据权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层由10-(2-苯并噻唑)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基L-1H,5H,11H-[1]苯丙吡喃酮基[6,7,8-IJ]喹嗪-11-酮掺杂于(8-羟基喹啉)-铝中形成，所述空穴传输层的材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述空穴注入层的材料为酞菁铜。

10.一种倒置型有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用磁控溅射或真空蒸镀在基板上形成阴极；

采用真空蒸镀在所述阴极上形成p型层，所述p型层由p型半导体材料掺杂于空穴传输材料中形成，所述p型半导体材料占所述p型层的质量百分比为2~10%；

采用真空蒸镀在所述p型层上形成中间层，所述中间层由金属氧化物形成；

采用真空蒸镀在所述中间层上形成n型层，得到pn结层；所述n型层由n型半导体材料掺杂于电子传输材料中形成，所述n型半导体材料占所述n型层的质量百分比为2~20%；

采用真空蒸镀在所述n型层上形成有机发光功能层；及

采用热蒸发或者电子束蒸发技术在所述有机发光功能层上形成阳极，得到倒置型有机电致发光器件。