[发明专利]半导体装置的刷新控制电路和方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年10月18日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2011-0106162的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，更具体而言，涉及一种执行刷新操作的半导体装置。

背景技术

在半导体装置之中，诸如DRAM的存储装置包括用电容器实现的存储器单元。由于电容器的特性而在电容器中不可避免地出现泄漏电流，所以DRAM展示出易失性存储装置的特性。因此，存储装置应当在将数据储存在存储器单元中之后，周期性地执行数据保持操作。数据保持操作被称作为刷新操作。一般地，将刷新操作分成自动刷新操作和自我刷新操作，所述自动刷新操作是根据命令输入来执行，所述自我刷新操作是通过存储装置本身周期性地执行。

图1示意性地说明现有的刷新控制电路的配置。在图1中，现有的刷新控制电路包括用于半导体装置的正常操作的电路和用于刷新操作的电路。刷新控制电路包括地址锁存单元10、刷新计数器20、地址选择单元30、激活控制单元40、第一存储体选择单元51至第四存储体选择单元54以及行选择单元60。地址锁存单元10被配置成接收行地址信号RA和激活信号ACT以产生正常地址信号Normal_Gax。刷新计数器20被配置成接收刷新信号REFP以产生当刷新信号REFP输入时逻辑值连续增大或减小的刷新地址信号Ref_Gax。地址选择单元30被配置成响应于刷新命令REF而选择正常地址信号Normal_Gax或刷新地址信号Ref_Gax作为输出地址信号Gax。激活控制单元40被配置成接收激活信号ACT和刷新信号REFP以当激活信号ACT或刷新信号REFP被使能时产生激活控制信号ACTCON。

第一存储体选择单元51至第四存储体选择单元54被配置成接收激活控制信号ACTCON和各自分配的存储体地址信号BA<0:3>。此外，第一存储体选择单元51至第四存储体选择单元54被配置成接收刷新信号REFP。第一存储体选择单元51至第四存储体选择单元54分别产生第一存储体选择信号ACT_BK0至第四存储体选择信号ACT_BK3。刷新信号REFP在正常操作期间被禁止，而在刷新操作期间被使能。在正常操作期间，第一存储体选择单元51至第四存储体选择单元54根据存储体地址信号BA<0:3>仅分别使能特定的存储体选择信号ACT_BK0至ACT_BK3。例如，当第一存储体地址信号BA<0>处于高电平且第二至第四存储体地址信号BA<1:3>都处于低电平时，第一存储体选择单元51可以将第一存储体选择信号ACT_BK0使能，而第二存储体选择单元52至第四存储体选择单元54可以分别将第二存储体选择信号ACT_BK1至第四存储体选择信号ACT_BK3禁止。第一存储体选择单元51至第四存储体选择单元54在刷新操作期间，响应于刷新信号REFP而将全部的第一存储体选择信号ACT_BK0至第四存储体选择信号ACT_BK3使能。换言之，第一存储体选择单元51至第四存储体选择单元54被配置成在刷新操作期间，无论存储体地址信号BA<0:3>如何，都将全部的第一存储体选择信号ACT_BK0至第四存储体选择信号ACT_BK3使能。

行选择单元60被配置成接收输出地址信号Gax以及第一存储体选择信号ACT_BK0至第四存储体选择信号ACT_BK3，以产生第一行选择信号Row_BK0至第四行选择信号Row_BK3。第一行选择信号Row_BK0至第四行选择信号Row_BK3用来将相应的存储体的字线使能。

现有的刷新控制电路被配置成在刷新操作期间，将全部存储体中的字线使能。因此，同时对全部的存储体执行刷新操作。

发明内容

本文描述了一种能够控制针对每个存储体分开执行的刷新操作的刷新控制电路和方法。