[发明专利]一种基准电压源电路

权利要求书

1.一种基准电压源电路，其特征在于，包括：

基准源单元，用于接收电源电压信号，将所述电源电压信号转换为第一基准电压信号后输出，所述第一基准电压信号为对电源的基准电压信号；

一端连接所述基准源单元的输出端，另一端连接电源的第一电阻；

一端与所述基准源单元的输出端相连，另一端接地的第二电阻。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述基准源单元包括：电压偏置单元、第一增强型PMOS晶体管、第二增强型NMOS晶体管和第三耗尽型PMOS晶体管；其中：

所述电压偏置单元接收电源电压信号，另一端接地，输出端连接所述第二增强型NMOS晶体管的栅极；所述第二增强型NMOS晶体管的源极与所述第三耗尽型PMOS晶体管的源极相连；

所述第一增强型PMOS晶体管的源极与衬底相连，接收所述电源电压信号，漏极与所述第二增强型NMOS晶体管的漏极相连，栅极为所述基准源单元的输出端；

所述第三耗尽型PMOS晶体管的栅极与源极短接，并与衬底相连，漏极接地。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述基准电压源电路还包括负反馈单元，所述负反馈单元的输入端与所述基准源单元的输出端相连，所述负反馈单元的输出端与所述第二电阻不接地的一端相连，所述负反馈单元的控制端与所述基准源单元内的所述第一增强型PMOS晶体管的漏极相连。

4.根据权利要求2所述的单元，其特征在于，所述电压偏置单元包括：第四耗尽型PMOS晶体管、第五增强型NMOS晶体管和第六增强型NMOS晶体管；其中：

所述第四耗尽型PMOS晶体管的源极与栅极短接，并与衬底相连，接收所述电源电压信号，漏极与所述第五增强型NMOS晶体管的漏极相连，连接点与所述第二增强型NMOS晶体管的栅极相连；

所述第五增强型NMOS晶体管的栅极与漏极相连，源极与所述第六增强型NMOS晶体管的漏极相连；

所述第六增强型NMOS晶体管的栅极与漏极相连，源极接地；

所述第五增强型NMOS晶体管的衬底与所述第六增强型NMOS晶体管的衬底相连并接地。

5.根据权利要求3所述的单元，其特征在于，所述负反馈单元为第七耗尽型PMOS晶体管，所述第七耗尽型PMOS晶体管的衬底与源极相连。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述基准电压源电路还包括：第三电阻与电容，所述第三电阻的一端与所述第二电阻不接地的一端相连，另一端与所述电容的一端相连，所述电容的另一端接地。