[发明专利]有机铜盐墨水和铜导电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210385310.0 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN102898887A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 邓吨英;肖斐 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C09D11/02 | 分类号: | C09D11/02;H01B13/00 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 墨水 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种有机铜盐墨水的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:
获取短链羟基羧酸铜;
将所述短链羟基羧酸铜分散于溶剂中,得到所述有机铜盐墨水;其中,所述短链羟基羧酸铜的质量百分比为20-65%。
2.根据权利要求1所述的有机铜盐墨水的制备方法,其特征在于,所述溶剂为水、水和乙醇或乙二醇的混合溶液。
3.根据权利要求1所述的有机铜盐墨水的制备方法,其特征在于,所述短链羟基羧酸铜是乳酸铜或羟基乙酸铜。
4.根据权利要求1至3任一项所述的有机铜盐墨水的制备方法,其特征在于,在所述获取短链羟基羧酸铜的步骤中,包含以下子步骤:
将短链羟基羧酸与氢氧化铜按照2∶1至3∶1的摩尔比加入水中,搅拌1至2小时,得到相应的短链羟基羧酸铜悬浊液;
将所述短链羟基羧酸铜悬浊液离心分离后,用水洗涤2或者3次除去部分短链羟基羧酸后,得到所述短链羟基羧酸铜;
其中,所述短链羟基羧酸铜中含有1%至5%的短链羟基羧酸,所述短链羟基羧酸为乳酸或羟基乙酸。
5.根据权利要求1至3任一项所述的有机铜盐墨水的制备方法,其特征在于,在所述获取短链羟基羧酸铜的步骤中,包含以下子步骤:
直接采用市售的商品乳酸铜或羟基乙酸铜作为所述短链羟基羧酸铜。
6.根据权利要求5所述的有机铜盐墨水的制备方法,其特征在于,在所述将短链羟基羧酸铜分散于溶剂中的步骤之后,还包含以下步骤:
在所述短链羟基羧酸铜和溶剂的混合溶液中加入1%至5%的乳酸或羟基乙酸,得到所述有机铜盐墨水。
7.一种铜导电薄膜的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:
采用如权利要求1至6任一项所述的有机铜盐墨水的制备方法制备有机铜盐墨水;
将所述制备得到的有机铜盐墨水施于基材表面,形成有机铜盐墨水层;
对所述有机铜盐墨水层进行干燥,并在氮气氛保护下进行焙烧,形成所述铜导电薄膜。
8.根据权利要求7所述的铜导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述有机铜盐墨水层的厚度在1至10微米之间。
9.根据权利要求7所述的铜导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述基材为硅片、玻璃、聚酰亚胺或者聚酯薄膜。
10.根据权利要求7所述的铜导电薄膜的制备方法,其特征在于,在所述将所述制备得到的有机铜盐墨水施于基材表面的步骤中,采用提拉、旋涂、丝网印刷或者喷墨印刷方法。
11.根据权利要求7所述的铜导电薄膜的制备方法,其特征在于,在所述对所述有机铜盐墨水层进行干燥的步骤中,所述干燥的温度在60至70℃之间。
12.根据权利要求7所述的铜导电薄膜的制备方法,其特征在于,在氮气氛保护下进行焙烧的步骤中,所述焙烧方式是电加热、电加热辅以紫外光照、微波加热或者激光辅助加热。
13.根据权利要求7所述的铜导电薄膜的制备方法,其特征在于,在氮气氛保护下进行焙烧的步骤中,所述焙烧的温度在150至250℃之间,时间在O.5至1小时之间。
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