[发明专利]一种高灵敏度的FM发射机无效
申请号: | 201210386762.0 | 申请日: | 2012-10-14 |
公开(公告)号: | CN103731164A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 石兵 | 申请(专利权)人: | 四川九鼎数码科技有限公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 fm 发射机 | ||
技术领域
本发明涉及一种FM发射机,尤其涉及一种高灵敏度的FM发射机。
背景技术
现有的音频装置采用的小功率调频发射装置电路,大多数采用集成电路构成,没有采用专用的音频电路,因此会造成调制度较浅、产生幅度调制过大、失真大、发射距离短、工作不稳定的现象。
发明内容
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种高灵敏度的FM发射机。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的:
本发明包括电池、麦克风、天线、第一三极管、第二三极管、电感、第一电容至第六电容、第一电阻至第八电阻,所述电池的正极同时与所述第一电阻的第一端、所述第八电阻的第一端、所述第四电容的第一端、所述电感的第一端和所述第三电容的第一端连接,所述电池的负极同时与所述麦克风的第一端、所述第二三极管的发射极、所述第一电容的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端和所述第三电容的第二端连接,所述第八电阻的第二端同时与所述第五电阻的第一端和所述第七电阻的第一端连接,所述第七电阻的第二端同时与所述麦克风的第二端和所述第六电容的第一端连接,所述第六电容的第二端同时与所述第六电阻的第一端和所述第二三极管的基极连接,所述第六电阻的第二端同时与所述第五电阻的第二端、所述第二三极管的集电极和所述第五电容的第一端连接,所述第五电容的第二端与所述第四电阻的第一端连接,所述第四电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端、所述第二电阻的第二端、所述第一电阻的第二端和所述第一三极管的基极连接,所述第一三极管的发射极同时与所述第三电阻的第二端和所述第二电容的第一端连接,所述第一三极管的集电极同时与所述第四电容的第二端、所述第二电容的第二端和所述电感的第二端连接,所述电感的抽头与所述天线连接。
具体地,所述第四电容为可变电容;所述第一三极管和所述第二三极管均为NPN型三极管。
本发明的有益效果在于:
本发明音频部分采用了一个高灵敏度容性麦克风和内建场效应晶体管,并将清楚地拾取语音频谱范围内的低电平声音,在使用中调制度深、不产生幅度调制、失真小、信号发射送距离远、工作稳定。
附图说明
图1是本发明的电路结构原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明:
如图1所示:本发明包括电池B、麦克风ML、天线ANT、第一三极管Q1、第二三极管Q2、电感L、第一电容C1至第六电容C6、第一电阻R1至第八电阻R8,电池B的正极同时与第一电阻R1的第一端、第八电阻R8的第一端、第四电容C4的第一端、电感L的第一端和第三电容C3的第一端连接,电池B的负极同时与麦克风ML的第一端、第二三极管Q2的发射极、第一电容C1的第一端、第二电阻R2的第一端、第三电阻R3的第一端和第三电容C3的第二端连接,第八电阻R8的第二端同时与第五电阻R5的第一端和第七电阻R7的第一端连接,第七电阻R7的第二端同时与麦克风ML的第二端和第六电容C6的第一端连接,第六电容C6的第二端同时与第六电阻R6的第一端和第二三极管Q2的基极连接,第六电阻R6的第二端同时与第五电阻R5的第二端、第二三极管Q2的集电极和第五电容C5的第一端连接,第五电容C5的第二端与第四电阻R4的第一端连接,第四电阻R4的第二端同时与第一电容C1的第二端、第二电阻R2的第二端、第一电阻R1的第二端和第一三极管Q1的基极连接,第一三极管Q1的发射极同时与第三电阻R3的第二端和第二电容C2的第一端连接,第一三极管Q1的集电极同时与第四电容C4的第二端、第二电容C2的第二端和电感L的第二端连接,电感L的抽头与天线ANT连接;第四电容C4为可变电容;第一三极管Q1和第二三极管Q2均为NPN型三极管。
如图1所示:第一三极管Q1构成一个比较稳定的RF振荡器,其频率由线圈电感L和第四电容C4确定。通过调整第四电容C4确定期望的工作频率,在标准的FM广播频段,将调谐电路设计为最高产生110MHz的频率。第二电容C2通过第一三极管Q1发射极电路中的第三电阻R3提供必要的反馈电压,以维持振荡条件。第一电阻R1和第二电阻R2提供正确工作所需要的发射结偏置电压,而第一电容C1则将加到基极的所有射频信号旁路到地,第三电容C3为电感L和第四电容C4构成的储能电路提供射频通路,同时阻断加到第一三极管Q1的集电极的电源电压。 如图1所示:音频部分用了一个高灵敏度容性麦克风ML和内建场效应晶体管,并将清楚地拾取语音频谱范围内的低电平声音。麦克风ML在第七电阻R7上产生的语音电压经第六电容电容C6耦合到音频放大器晶体管第二三极管Q2的基极。将振荡晶体管第一三极管Q1的直流偏压由第一电阻R1和第二R2提供。现在,第六电阻R6上产生的一个信号电压由无极性第五电容C5经第四电阻R4耦合到第一三极管Q1的基极。第二三极管Q2的增益由第七电阻R7和第六电阻R6的比值控制,直流工作点设置到让集电极的最大变化范围为放大后的信号。现在,经放大的语音信号通过少量移动基极部分的直流工作点,对振荡电路进行FM和AM调制。第八电阻R8对振荡器和音频电路去耦合,防止产生反馈和其他不希望的效果。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川九鼎数码科技有限公司,未经四川九鼎数码科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210386762.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。