[发明专利]用于邻近修正的方法

说明书

技术领域

本发明总体上涉及半导体技术领域，更具体地，涉及用于邻近修正的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。在IC材料以及设计方面的技术进步已经产生了若干代IC产品，其中每一代IC产品比前一代具有更小更复杂的电路。在IC逐步进步的历程中，功能密度(即，每芯片面积中互连器件的数量)大体上得到了提升，然而几何尺寸(即，使用制造工艺所能创造的最小部件)在减小。这些进步增加了加工及制造IC的复杂性，同时为实现这些进步，需要在IC加工及制造方面同样发展。

尺寸缩小工艺总的来说提供了增加生产效率和降低相关成本方面的益处。这样的尺寸缩小也增加了IC加工和制造的复杂性。对于这些可实现的优点，需要IC加工和制造方面的类似发展。例如，在掩模制造中实施光学邻近修正(OPC)技术。在光刻工艺后，OPC利用光刻模型去预测图案的轮廓。在应用修正之前，图案的边缘被分成多个小段并且为每一段限定一个目标点。通常，需要几次迭代以实现在边缘位置和目标点之间的收敛。光刻的分辨率限制将圆角引入轮廓中。目标点与圆角轮廓之间的差造成不稳定的修正收敛，这会导致图案保真修正失败。因此，期望在该方面具有改进。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种制造用于集成电路(IC)设计的掩模的方法，所述方法包括：

接收IC设计布局，所述IC设计布局包括：具有第一外边界的IC部件，和，分配到所述第一外边界的第一目标点；

生成用于所述IC部件的第二外边界；

将所有的所述第一目标点移到所述第二外边界以形成修改的IC设计布局；以及

为掩模制造提供所述修改的IC设计布局。

在可选实施例中，通过利用预定函数应用所述IC设计布局的卷积生成所述第二外边界。

在可选实施例中，所述预定函数包括以[sin²(x/σ)/(x/σ)²]×[sin²(y/σ)/(y/σ)²]方式表示的Sinc函数，其中σ是曝光系统的分辨率模糊尺寸。

在可选实施例中，所述预定函数包括以exp[-x²/(2σ_x²)-y²/(2σ_y²)]方式应用的高斯函数，其中σ_x和σ_y是曝光系统分别在x方向和y方向上的分辨率模糊尺寸。

在可选实施例中，所述曝光系统包括具有波长(λ)的光子曝光系统。

在可选实施例中，通过k₁×λ/NA计算分辨率模糊尺寸，其中k₁是常量，λ是光子的波长，NA是所述光子曝光系统的数值孔径。

在可选实施例中，所述曝光系统包括带电粒子曝光系统。

在可选实施例中，所述第二外边界包括一个或多个圆角。

在可选实施例中，所述第一目标点在与所述第一外边界垂直的方向上移动到所述第二外边界。

在可选实施例中，在将所述第一目标点移到所述第二外边界并形成所述修改的IC设计布局之后，以及在为掩模制造提供所述修改的IC设计布局之前，所述方法还包括：对所述修改的IC设计布局实施光学邻近修正(OPC)。

在可选实施例中，在将所述第一目标点移到所述第二外边界并形成所述修改的IC设计布局之后，以及在为掩模制造提供所述修改的IC设计布局之前，所述方法还包括：对所述修改的IC设计布局实施电子邻近修正(EPC)。

在可选实施例中，所述方法进一步包括：对所述修改的IC设计布局实施光刻仿真；以及，对所述修改的IC设计布局实施误差评估。

根据本发明的另一方面，还提供了一种制造用于集成电路(IC)设计布局的掩模的方法，所述方法包括：

接收具有IC部件的IC设计布局，所述IC部件具有第一外边界；

将第一目标点分配到所述第一外边界；

利用预定函数将卷积应用于所述IC设计布局以生成所述IC部件的第二外边界；

将所述第一目标点移到所述第二外边界以形成修改的IC设计布局；

对所述修改的IC设计布局实施邻近修正；以及，

对所述修改的IC设计布局实施光刻仿真。