[发明专利]参考电压产生器

权利要求书

1.一种参考电压产生器，包括：

一参考电压产生单元，接收一第一偏压电流及一第一映射电流，用以产生一参考电压，该参考电压产生单元包括：

一第一金属氧化半导体晶体管，其第一端接收该第一偏压电流，该第一金属氧化半导体晶体管操作在次临界(sub-threshold)区，以产生具有负温度系数的一第一栅源极电压；

一第二金属氧化半导体晶体管，其第一端接收该第一映射电流，其栅极端耦接该第一金属氧化半导体晶体管的栅极端，该第二金属氧化半导体晶体管操作在次临界区，以产生具有负温度系数的一第二栅源极电压，且该第一金属氧化半导体晶体管的宽长比为该第二金属氧化半导体晶体管的宽长比的K1倍，其中K1为大于0的自然数且不等于1；

一第一阻抗提供元件，其第一端耦接该第一金属氧化半导体晶体管的第二端，其第二端耦接该第二金属氧化半导体晶体管的第二端，用以产生具有正温度系数的一第一电流；以及

一第二阻抗提供元件，其第一端耦接该第二金属氧化半导体晶体管的第二端，其第二端耦接一接地电压，用以在其第一端产生具有正温度系数的一第一电压，

其中，该参考电压等于该第二栅源极电压加上该第一电压。

2.如权利要求1所述的参考电压产生器，还包括一电流镜单元，电性连接该参考电压产生单元，该电流镜单元用以提供该第一偏压电流及该第一映射电流，其中该电流镜单元映射该第一偏压电流而产生该第一映射电流。

3.如权利要求2所述的参考电压产生器，其中该电流镜单元包括：

一第三晶体管，其第一端耦接一系统电压，其第二端耦接该第二金属氧化半导体晶体管的第一端；

一第四晶体管，其第一端耦接该系统电压，其栅极端耦接该第三晶体管的栅极端，其第二端耦接该第一金属氧化半导体晶体管的第一端；

一第五晶体管，其第一端耦接该第三晶体管的第二端，其栅极端接收一第一偏压，其第二端耦接该第三晶体管的栅极端；

一第六晶体管，其第一端耦接该第四晶体管的第二端，其栅极端接收该第一偏压；

一第七晶体管，其第一端耦接该第五晶体管的第二端，其栅极端接收一第二偏压，其第二端耦接该接地电压；以及

一第八晶体管，其第一端耦接该第六晶体管的第二端，其栅极端接收该第二偏压，其第二端耦接该接地电压。

4.如权利要求1所述的参考电压产生器，还包括一输出级单元，耦接至该参考电压产生单元及该电流镜单元，该输出级单元用以稳定该参考电压且产生一第一参考电流。

5.如权利要求4所述的参考电压产生器，其中该输出级单元包括：

一第九晶体管，其第一端耦接该系统电压，其栅极端耦接该第六晶体管的第二端，其第二端耦接第二金属氧化半导体晶体管的栅极端，用以稳定该参考电压；以及

一电压转电流电路，其第一端接收该参考电压，其第二端耦接该接地电压，该电压转电流电路用以将该参考电压转换为该第一参考电流。

6.如权利要求5所述的参考电压产生器，其中该电压转电流电路为一第三阻抗提供元件，其第一端接收该参考电压，其第二端耦接该接地电压，用以产生该第一参考电流。

7.如权利要求4所述的参考电压产生器，其中该输出级单元还包括一升压电路，其第二端接收该参考电压，其第一端耦接该第九晶体管的第二端，用以将该参考电压升压为一第二参考电压。

8.如权利要求5所述的参考电压产生器，其中该升压电路为一第四阻抗提供元件，其第二端接收该参考电压，其第一端耦接该第九晶体管的第二端，该第四阻抗提供元件的阻抗值决定该参考电压的升压幅度。

9.如权利要求4所述的参考电压产生器，还包括一降压电路，电性连接该参考电压产生单元及该输出级单元之间，通过其汲取该参考电压产生单元中电流的一部分以作为一第一反馈电流，来调降该参考电压。