[发明专利]用于沉积的掩模及其制造方法在审
| 申请号： | 201210387327.X | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103132015A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱星中;许明洙;郑石源;张喆旼;李成用;赵喆来;韩仁爱 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;姚志远 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 及其 制造 方法 | ||
1.一种沉积掩模，包括：
掩模主体，包括穿透所述掩模主体的多个狭缝；以及
涂层，通过原子层沉积涂覆于所述掩模主体的整个表面上。
2.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述涂层由与所述掩模主体的材料不同的材料制成。
3.如权利要求2所述的沉积掩模，其中所述掩模主体是磁性物质。
4.如权利要求3所述的沉积掩模，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
5.如权利要求3所述的沉积掩模，其中所述涂层由氧化物制成。
6.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述掩模主体是磁性物质。
7.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
8.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述涂层由氧化物制成。
9.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述多个狭缝中的每一个均具有开口区，并且所述涂层的厚度控制所述开口区的宽度。
10.一种制造沉积掩模的方法，包括以下步骤：
在掩模主体处形成多个狭缝，以穿透所述掩模主体；以及
通过原子层沉积，在所述掩模主体的整个表面上形成涂层。
11.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中使用光刻处理执行形成多个狭缝的步骤。
12.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中形成涂层的步骤包括控制所述涂层的厚度，以控制所述多个狭缝中的每个的开口区的宽度。
13.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层由与所述掩模主体的材料不同的材料制成。
14.如权利要求13所述的制造沉积掩模的方法，其中所述掩模主体是磁性物质。
15.如权利要求14所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
16.如权利要求14所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层由氧化物制成。
17.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述掩模主体是磁性物质。
18.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
19.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层由氧化物制成。
20.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述多个狭缝中的每一个均具有开口区，并且所述涂层的厚度控制所述开口区的宽度。
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