[发明专利]超低功耗误差放大器

权利要求书

1.一种超低功耗误差放大器，其特征在于，包括：

基准电压产生电路（1），用于产生零温度系数的基准电压值V_ref，并输出到电流镜电路（4）；

电压负反馈电路（2），用于将电流镜电路（4）输入的电压信号V1转换成输出电压信号V_OUT，并通过电阻分压，将其分压信号输出到基准电压产生电路（1），使基准电压值V_ref达到稳态值，维持环路输出电压信号V_OUT稳定；

基准启动电路（3），用于产生电压启动信号，其输出信号连接到基准电压产生电路（1），当基准建立起来后，基准启动电路（3）关闭，避免静态电流的消耗；

电流镜电路（4），用于将基准电压产生电路（1）输出的电流转换为电压信号，并输出电压信号V1到电压负反馈电路（2）。

2.根据权利要求1所述的超低功耗误差放大器，其特征在于基准电压产生电路（1），包括NPN三极管Q1、Q2和电阻R1、R2；

NPN三极管Q1与Q2的基极相连，作为基准电压产生电路（1）的输入端，并与基准电压信号V_ref相连；其集电极分别与电流镜电路（4）中的PMOS管M1和M3相连；

电阻R1与R2跨接于NPN三极管Q2的发射极与地之间；其公共端与NPN三极管Q1的发射极相连。

3.根据权利要求2所述的超低功耗误差放大器，其特征在于NPN三极管Q2的有效发射区面积是NPN三极管Q1有效发射区面积的N倍，N>1。

4.根据权利要求1所述的超低功耗误差放大器，其特征在于电压负反馈电路（2），包括PMOS管M8，分压电阻R3、R4；

所述PMOS管M8，其栅极作为输入端，与电流镜电路（4）相连接；其源极接电源电压VDD；其漏极与分压电阻R3的一端相连，并作为误差放大器的输出端，输出电压信号V_OUT；

所述分压电阻R3和R4，跨接于PMOS管M8的漏极和GND之间；其公共端作为输出端，该电压负反馈电路（2）的输出端的电压信号正比于输出电压信号V_OUT，并输出反馈电压信号。

5.根据权利要求1所述的超低功耗误差放大器，其特征在于基准启动电路（3），包括PMOS管M7；该PMOS管M7的栅极与外部产生的偏置电压信号VBIAS相连；其漏极接电源电压VDD；其源极作为输出端，连接到基准电压产生电路（1）中NPN三极管Q1的基极，输出启动电压信号。

6.根据权利要求1所述的超低功耗误差放大器，其特征在于电流镜电路（4），包括PMOS管M1、M2、M3、M4和NMOS管M5、M6；

所述PMOS管M1与M2，其两者的栅极相连构成电流镜结构，连接到基准电压产生电路（1）中NPN三极管Q1的集电极；其源极共同连接到电源电压VDD；PMOS管M1的漏极与栅极相连；PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的漏极相连，并与输出电压信号V1相连；

所述PMOS管M3与M4，其两者的栅极相连构成电流镜结构，并连接到基准电压产生电路（1）中NPN三极管Q2的集电极；其源极共同连接到电源电压VDD；其漏极分别与PMOS管M3的栅极和NMOS管M5的漏极相连；

所述NMOS管M5与M6，其两者的栅极相连构成电流镜结构，并连接到M4的漏极；其源极共同连接到GND；其漏极分别与NMOS管M5的栅极和PMOS管M2的漏极相连。

7.根据权利要求1所述的超低功耗误差放大器，其特征在于电流镜电路（4），包括PMOS管M1、M2；

所述PMOS管M1与M2，其两者的栅极相连构成电流镜结构，连接到基准电压产生电路（1）中NPN三极管Q1的集电极；其源极共同连接到电源电压VDD；PMOS管M1的漏极与栅极相连；PMOS管M2的漏极与基准电压产生电路（1）中NPN三极管Q2的集电极相连，并与输出电压信号V1相连。