[发明专利]封装基板腔体的制作工艺在审
申请号: | 201210389990.3 | 申请日: | 2012-10-15 |
公开(公告)号: | CN103730374A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 高成志;杨家雄;郑仰存 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人: | 王昌花 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 基板腔体 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及PCB板生产领域,尤其涉及一种封装基板腔体的制作工艺。
背景技术
随着封装基板向着更小、更薄的趋势发展,要求封装基板与芯片之间的金线排列更加密集,从而产生了封装基板腔体结构的制作。在芯片与封装基板的导通过程中,可使用内层金手指进行打线,所谓打线,即客户端的Bonding(邦定)焊接,俗称打线。在腔体的制作工艺流程中有控深铣步骤,采用控深铣步骤会导致打线金手指划伤。为了保护打线金手指,业内一般采用阻焊油墨覆盖住打线金手指,后续工序再去除阻焊油墨,但是阻焊油墨非常难去除,出现腔体良品率低、操作繁琐、制作周期长等问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是:提供一种封装基板腔体的制作工艺,以保证腔体的尺寸精度和质量,避免对打线金手指的损伤,缩短制作周期以提高制作工艺的效率。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提出了一种封装基板腔体的制作工艺,包括如下步骤:包括如下步骤:
内层制作:在芯板上制作所需线路图层;
覆盖保护材料层:在内层制作完毕的芯板上确定目标腔体区域,在该目标腔体区域的打线金手指上方覆盖保护材料层,使打线金手指被保护材料层完全覆盖;
芯板处理:对覆盖有保护材料层的芯板上进行处理,使芯板表面上除线路图层和覆盖保护材料层以外的地方露出线路铜;
垫片压合:在所述保护材料层上方叠加垫片并进行压合;
外层制作:在压合后的芯板上正反面均覆盖PP层,将压合于保护材料层上方的垫片完全覆盖,然后在PP层外进行阻焊得到阻焊层;
控深铣腔体:采用控深铣技术对外层制作完毕的芯板的目标腔体区域进行控深铣,得到半成品腔体,露出所述保护材料层;
去除保护材料层:利用有机褪膜方法去除半成品腔体内的所述保护材料层,露出所述打线金手指;
腔体成型:利用表面处理方法对芯板及其去除保护材料层后的半成品腔体内部进行处理,得到成型腔体以供后续工艺在成型腔体内安装所需芯片。
进一步地,在所述覆盖保护材料层步骤中,所述保护材料层为感光干膜层,采用热压方式将感光干膜贴于目标腔体区域的打线金手指上方得到感光干膜层;在所述芯板处理步骤中,是对覆盖有感光干膜层的芯板上进行曝光和显影处理。
进一步地,在所述覆盖保护材料层步骤中,所述保护材料层为感光油墨层,采用丝印方式将感光油墨贴于目标腔体区域的打线金手指上方得到感光油墨层;在所述芯板处理步骤中,是对覆盖有感光油墨层的芯板上进行曝光和显影处理。
进一步地,在所述覆盖保护材料层步骤中,所述保护材料层为热固化油墨层,采用丝印方式将热固化油墨贴于目标腔体区域的打线金手指上方得到热固化油墨层;在所述芯板处理步骤中,是对覆盖有热固化油墨层的芯板上进行热固化处理。
进一步地,在所述腔体成型步骤中,所述表面处理方法为化学镍钯金、电镀软金、电镀硬金或化学镀金方法。
本发明实施例的有益效果是:本发明的封装基板腔体的制作工艺,以保证腔体的尺寸精度,提高腔体的质量,利用不同的保护层材料对打线金手指进行保护,且去除保护材料的过程容易,避免了对打线金手指的损伤,免去了焊油墨去除的繁琐操作,提高了工艺制作效率。
下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。
附图说明
图1是本发明实施例封装基板腔体的制作工艺流程图。
图2是本发明实施例封装基板腔体的制作工艺的内层制作步骤后的示意图。
图3是本发明实施例封装基板腔体的制作工艺的覆盖保护材料层步骤后的示意图。
图4是本发明实施例封装基板腔体的制作工艺的垫片压合步骤后的示意图。
图5是本发明实施例封装基板腔体的制作工艺的外层制作步骤后的示意图。
图6是本发明实施例封装基板腔体的制作工艺的控深铣腔体步骤后的示意图。
图7是本发明实施例封装基板腔体的制作工艺的腔体成型步骤后的示意图。
部分附图标号说明:
10、 芯板;20、 线路图层;201、目标腔体区域的打线金手指;
30、保护材料层;40、 垫片;50、PP层;60、阻焊层;
70’ 半成品腔体;70、 成品腔体。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合,下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明,本实施例以图7所示方向为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造