[发明专利]一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于，其从上往下依次由透明导电层、缓冲层、光吸收层、金属背电极层和衬底组成。

2.根据权利要求1所述的无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于，所述金属背电极层为金属Mo层，所述光吸收层为铜铟镓硒薄膜，所述缓冲层为ZnS薄膜，所述透明导电层为氧化锌掺铝AZO薄膜。

3.制备权利要求1或2所述无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法，具体为：

（1）在磁控溅射腔体内安装Mo靶、CuIn_xGa_1-xSe₂靶、ZnS靶和AZO靶，并安装清洗好的钠钙玻璃基片,0≤x≤1；

（2）对磁控溅射腔体抽真空，通入Ar气，在钠钙玻璃基片上使用Mo靶溅射Mo薄膜，作为薄膜太阳能电池的金属背电极；

（3）在镀有Mo薄膜的钠钙玻璃基片上使用CuIn_xGa_1-xSe₂靶溅射CIGS薄膜，作为薄膜太阳能电池的光吸收层；

（4）制备好光吸收层后，使用ZnS靶溅射ZnS薄膜，作为薄膜太阳能电池的缓冲层；

（5）制备好缓冲层后，使用AZO靶溅射AZO薄膜，作为薄膜太阳能电池的透明导电层。