[发明专利]硅控整流器有效
| 申请号： | 201210390562.2 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730458A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;邓樟鹏;王邦麟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅控整流器，其特征是，包括：
深N阱上部顺序并列排布有N阱和P阱，所述P阱中还具有隔离N阱将P阱分为两部分第一P阱和第二P阱；
所述N阱、第一P阱上部形成有N+扩散区和P+扩散区；
所述第二P阱上部形成有两个N+扩散区，第二P阱上方具有一多晶硅层，形成一NMOS；
所述隔离N阱上部形成有N+扩散区；
所述N阱中的N+扩散区和P+扩散区与隔离N阱中的N+扩散区相连接静电端；
所述第一P阱中的N+扩散区与所述NMOS漏极、栅极相连通过电阻接地，所述NMOS源极和第一P阱的P+扩散区接地。
2.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征是：所述电阻阻值范围是10欧姆至30000欧姆。
3.如权利要求1所述的硅控整流器，其特征是：所述第一P阱中的N+扩散区与所述NMOS漏极、栅极相连通过电容接地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
