[发明专利]晶圆在位检测装置、晶圆托架以及晶圆在位检测方法有效
申请号: | 201210391203.9 | 申请日: | 2012-10-15 |
公开(公告)号: | CN102931115A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 路新春;沈攀;王同庆;何永勇 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/673 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成;黄德海 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 在位 检测 装置 托架 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种晶圆在位检测装置、具有该晶圆在位检测装置的晶圆托架以及利用该晶圆在位检测装置进行晶圆在位检测的方法。
背景技术
在大规模集成电路的生产过程中,晶圆在各种IC(集成电路)设备中的各个工位之间的传输是设备正常运行的根本。而晶圆是否存在于某个工位,是保证晶圆能够准确传输的前提。目前,各种IC设备都依靠各种机械手对晶圆进行传输,而晶圆是否在某一工位上,都是依靠机械手来判断,工位本身并不具有晶圆在位检测功能。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此,本发明的一个目的在于提出一种具有可靠性高、准确性高、结构简单、制造成本低等优点的晶圆在位检测装置。
本发明的另一个目的在于提出一种利用所述晶圆在位检测装置进行晶圆在位检测的方法。
本发明的又一个目的在于提出一种具有所述晶圆在位检测装置的晶圆托架。
为了实现上述目的,根据本发明第一方面的实施例提出一种晶圆在位检测装置,所述晶圆在位检测装置包括:压力介质源,所述压力介质源用于提供具有预定压力的介质;多个检测孔,每个所述检测孔均通过管路与所述压力介质源相连,其中所述多个检测孔并联;压力检测器,所述压力检测器设在所述管路上且位于所述压力介质源与所述多个检测孔之间以便检测所述管路中的压力;和控制器,所述控制器与所述压力检测器相连以便根据所述压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。
根据本发明实施例的晶圆在位检测装置通过设置用于向多个所述检测孔提供具有预定压力(正压)的介质的所述压力介质源,从而在进行晶圆在位检测的过程中可以防止外界的液体和颗粒进入所述管路和多个所述检测孔内,由此不会有外部因素影响所述压力检测器对所述管路中的压力进行检测,这样可以可靠地、准确地检测出晶圆是否在位。而且,由于外界的液体和颗粒不会进入所述管路和多个所述检测孔内,因此所述晶圆在位检测装置不需要设置过滤器。因此,根据本发明实施例的晶圆在位检测装置具有可靠性高、准确性高、结构简单、制造成本低等优点。
另外,根据本发明实施例的晶圆在位检测装置还可以具有如下附加的技术特征:
根据本发明的一个实施例,所述介质为气体或液体。
根据本发明的一个实施例,所述晶圆在位检测装置还包括减压阀,所述减压阀设在所述管路上且位于所述压力介质源与所述压力检测器之间。通过设置所述减压阀,可以将所述管路内的介质的压力减小至预定压力,由此可以使所述晶圆在位检测装置更加可靠地、准确地检测出晶圆是否在位。
根据本发明的一个实施例,所述减压阀为正压减压阀。
根据本发明的一个实施例,所述晶圆在位检测装置还包括电磁阀,所述电磁阀设在所述管路上。由此可以节省所述介质,降低所述晶圆在位检测装置的运行成本。而且,通过设置所述电磁阀,还可以大大地提高所述晶圆在位检测装置的自动化程度。
根据本发明的一个实施例,所述晶圆在位检测装置还包括消声器,所述消声器与所述电磁阀相连用于减小所述电磁阀的噪声。通过设置所述消声器,可以大大地降低所述电磁阀运行时产生的噪声,从而可以大大地改善工作人员的工作环境。
根据本发明的一个实施例,所述电磁阀为两位三通电磁阀。
根据本发明的一个实施例,所述压力检测器为压力传感器。
根据本发明第二方面的实施例提出一种利用根据本发明第一方面所述的晶圆在位检测装置进行晶圆在位检测的方法,所述方法包括:A)利用所述压力介质源向所述多个检测孔提供具有预定压力的介质;B)将晶圆放置在晶圆托架的本体的上表面上并使所述晶圆堵住多个检测孔的至少一部分,利用所述控制器读取所述压力检测器的压力检测值P1,随后取走所述晶圆,其中所述多个检测孔的外端间隔开地位于所述晶圆托架的本体的上表面上且邻近所述晶圆托架的本体的上表面的外沿;和C)向所述晶圆托架的本体的上表面上传输晶圆,并利用所述控制器读取所述压力检测器的压力检测值P,当P大于等于P1时,所述晶圆位于所述晶圆托架的本体的上表面上且在位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造