[发明专利]薄片粘贴装置及粘贴方法、以及薄片制造装置及制造方法有效
申请号: | 201210391596.3 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN103035558A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 石原崇 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 日本国东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄片 粘贴 装置 方法 以及 制造 | ||
技术领域
本发明涉及薄片粘贴装置及粘贴方法、以及薄片制造装置及制造方法,更详细地说,涉及能够在带状片上形成切口而形成粘合片的薄片粘贴装置及粘贴方法、以及薄片制造装置及制造方法。
背景技术
以往,在半导体晶片(下面有时称为“晶片”)等被粘接体上粘贴粘合片的薄片粘贴装置已被广泛利用,作为相关的薄片粘贴装置,例如在专利文献1中已有所公开。专利文献1的薄片粘贴装置具备:送出单元,送出原料卷,原料卷通过将带状片临时粘贴到剥离片上而成;切割刀,在送出原料卷的过程中形成闭环状的切口;剥离板,将形成在切口内侧的粘合片从剥离片剥离;以及压辊,将剥离下来的粘合片按压粘贴到晶片及环形框上。在通过这种薄片粘贴装置形成切口的情况下,如图4(A)所示,调整该切割刀HC与滚压辊PR之间的相对间隔,使切割刀HC的刀刃进入到剥离片RL中20μm左右。另外,这种剥离片RL通常采用厚度为50μm左右的剥离片。在该图中,WS表示带状片,BS表示基材片,AD表示粘合剂层,RS表示原料卷。
专利文献1:日本特开2005-116928号公报
但是,对于剥离片RL,为了降低材料成本,采用25μm左右厚度较薄的情况越来越多。将采用了这种厚度较薄的剥离片RL的原料卷用于专利文献1的装置时,如图4(B)所示,切割刀HC的刀刃不进入到剥离片RL,不能利用剥离板将形成在切口CU内侧的粘合片和形成在切口CU外侧的无用片可靠地分离,该粘合片也会与无用片一同被卷绕,从而会发生无法粘贴粘合片的问题。
在此,在图4(B)中,为了使切割刀HC的刀刃进入到剥离片RL中,对该切割刀HC与滚压辊PR之间的相对间隔进行再调整,从而能够将粘合片确实地从无用片分离。但是,在这种情况下,由于处于形成有切口CU的位置上的剥离片RL的厚度变得过于薄,所以会出现如下的粘合片的粘贴不良,例如:只要受到一点外力,粘合片和与之对应的剥离片部分就会从原料卷RS脱落,或者,当利用剥离板剥离粘合片时,相应的剥离片部分也会与粘合片一起剥离,处于带有剥离片部分的状态的粘合片被粘贴到被粘接体上。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种即使在剥离片薄化的情况下也能够良好地进行粘合片的形成、剥离及粘贴的薄片粘贴装置及粘贴方法、以及薄片制造装置及制造方法。
为了实现上述目的,本发明薄片粘贴装置,包括:送出单元,送出原料卷,该原料卷通过将在带状的基材片的一个面上具有粘合剂层的带状片经由该粘合剂层临时粘贴到带状剥离片上而成;切割单元,在所述带状片上形成预定形状的切口,在该切口的内侧形成粘合片,并且在该切口的外侧形成无用片;剥离单元,从该粘合片的送出方向前端部将临时粘贴在所述剥离片上的所述粘合片朝向该粘合片的内侧区域剥离;以及按压单元,将所述粘合片按压粘贴到被粘接体上,所述切割单元被设置成能够形成与所述粘合片的送出方向前端部对应的切口的深度比与所述粘合片的内侧区域对应的切口的深度深的切口。
在本发明中,所述切割单元具备在带状片的厚度方向上具有高度的切割刀,该切割刀包括:高刀部,能够形成与所述粘合片的送出方向前端部对应的切口;以及低刀部,高度比所述高刀部低,能够形成所述粘合片的内侧区域。
另外,所述高刀部被设置在切割刀的多个位置上,各个高刀部被设置成能够选择性地配置在能够形成与所述粘合片的送出方向前端部对应的切口的位置上。
此外,所述送出单元与所述切割单元联动,相对于形成1张粘合片,利用所述高刀部进行多次切割。
另外,还具有赋能单元,能够对被所述切割单元切割的区域的原料卷进行加热。
此外,本发明的薄片粘贴方法,包括:送出工序,送出原料卷,该原料卷通过将在带状的基材片的一个面上具有粘合剂层的带状片经由该粘合剂层临时粘贴到带状剥离片上而成;切割工序,在所述带状片上形成预定形状的切口,在该切口的内侧形成粘合片,并且在该切口的外侧形成无用片;剥离工序,从该粘合片的送出方向前端部将临时粘贴在所述剥离片上的所述粘合片朝向该粘合片的内侧区域剥离;以及按压工序,将所述粘合片按压粘贴到被粘接体上,在所述切割工序中,形成与所述粘合片的送出方向前端部对应的切口的深度比与所述粘合片的内侧区域对应的切口的深度深的切口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造