[发明专利]晶体振荡电路的测试方法及测试装置

权利要求书

1.一种晶体振荡电路的测试方法，其特征在于，包括：

采用至少一种模式，对所述晶体振荡电路中的反馈网络进行测试，获取所述反馈网络的反馈电阻阻值，对所述晶体振荡电路的输出端口的反向驱动力进行测试，获取反向驱动力参数值，并对所述晶体振荡电路中的基本运放电路的电压传输特性进行测试，获取电压传输特性参数值，其中，不同的模式用于对应外加不同的时钟源；

确定各模式下测试获得的反馈电阻阻值、反向驱动力参数值以及电压传输特性参数值是否均在对应的模式下的各参数取值的正常范围内；

若是，则确定所述晶体振荡电路能够在所述至少一种模式下正常工作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述晶体振荡电路中的反馈网络进行测试，获取所述反馈网络的反馈电阻阻值，包括：

给所述晶体振荡电路的输入端口加高电平，测试所述晶体振荡电路的输出端口的电流值，根据所述输入端口和输出端口间的电压值和所述晶体振荡电路的输出端口的电流值，获取所述反馈电阻阻值；或者，

给所述晶体振荡电路的输入端口加低电平，测试所述晶体振荡电路的输出端口的电流值，根据所述输入端口和输出端口间的电压值和所述晶体振荡电路的输出端口的电流值，获取所述反馈电阻阻值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶体振荡电路的输出端口的反向驱动力进行测试，获取反向驱动力参数值，包括：

在所述晶体振荡电路的输入端口加高电平，所述晶体振荡电路的输出端口的电压值为低电平输出，同时在所述晶体振荡电路的输出端口外灌一个100μA的电流，获取所述晶体振荡电路的输出端口低电平输出的上拉电压值；所述上拉电压值为所述反向驱动力参数值；或者，

在所述晶体振荡电路的输入端口加低电平，所述晶体振荡电路的输出端口的电压值为高电平输出，同时在所述晶体振荡电路的输出端口外拉一个100μA的电流，获取所述晶体振荡电路的输出端口高电平输出的下拉电压值；所述下拉电压值为所述反向驱动力参数值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶体振荡电路中的基本运放电路的电压传输特性进行测试，获取电压传输特性参数值，包括：

在所述晶体振荡电路的输入端口加第一测试点的所述输入端口的电压值Vi1，测试所述第一测试点的所述输出端口的电压值Vo1，加第二测试点的所述输入端口的电压值Vi2，测试所述第二测试点的所述输出端口的电压值Vo2，获取所述电压传输特性参数值对应为所述第一测试点和所述第二测试点的输入电压值Vi1和Vi2及输出电压值Vo1和Vo2。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一种模式，具体包括下述三种模式中的至少一种模式：

第一模式，对应外加时钟源频率小于8MHz；

第二模式，对应外加时钟源频率大于等于8MHz；

第三模式，对应外加时钟源频率小于100KHz。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一模式下，所述反馈电阻阻值的所述正常范围为0.4MΩ～1.4MΩ，所述反向驱动力参数值的所述正常范围为小于0.7V，所述电压传输特性参数值的所述正常范围为当Vi1=1.8V时，Vo1>3.5V以及Vi2=2.5V时，Vo2<1.0V，其中，所述Vi1为所述第一测试点的所述输入端口的电压值，所述Vo1为所述第一测试点的所述输出端口的电压值；所述Vi2为所述第二测试点的所述输入端口的电压值，所述Vo2为所述第二测试点的所述输出端口的电压值；

在所述第二模式下，所述反馈电阻阻值的所述正常范围为0.4MΩ～1.0MΩ，所述反向驱动力参数值的所述正常范围为小于1.0V，所述电压传输特性参数值的所述正常范围为当Vi1=1.5V时，Vo1>3.5V以及Vi2=2.8V时，Vo2<1.0V；

在所述第三模式下，所述反馈电阻阻值的所述正常范围为0.5MΩ～2.0MΩ，所述反向驱动力参数值的所述正常范围为小于1.2V，所述电压传输特性参数值的所述正常范围为当Vi1=1.5V时，Vo1>3.5V以及Vi2=2.8V时，Vo2<1.0V。