[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法有效
| 申请号： | 201210392207.9 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103012457A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10;C23C16/44;C23C16/42;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 氨基 硅烷 包含 薄膜 沉积 方法 | ||
1.由下式I表示的卤代有机氨基硅烷前体：
XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p I
其中X是选自Cl、Br、I的卤素；R1独立地选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2选自直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R3选自支链C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且(m+n+p)的和小于4，且其中R2和R3连接以形成环。
2.如权利要求1的卤代有机氨基硅烷前体，其中R1和R2相同。
3.如权利要求1的卤代有机氨基硅烷前体，其中R1和R2不同。
4.通过沉积工艺在衬底的至少一个表面上形成介电薄膜的方法，所述沉积工艺选自化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺，该方法包括：
在反应室中提供所述衬底的该至少一个表面；
引入至少一种具有下式I的卤代有机氨基硅烷前体：
XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p I
其中X是选自Cl、Br、I的卤素；R1独立地选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2选自直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R3选自支链C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且(m+n+p)的和小于4，且其中R2和R3连接以形成环；
将含氮源引入反应器中，其中所述至少一种有机氨基硅烷前体和所述含氮源反应以在该至少一个表面上获得所述的介电薄膜。
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