[发明专利]CMOS晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域；

在所述半导体衬底上形成栅极结构；

在NMOS晶体管区域的半导体衬底上形成掩膜层，在PMOS晶体管区域栅极结构两侧的半导体衬底内形成PMOS晶体管LDD区；

在PMOS晶体管区域栅极结构两侧的半导体衬底内形成应力衬垫层；

在PMOS晶体管区域的栅极结构及应力衬垫层表面形成阻挡层，在NMOS晶体管区域栅极结构两侧的半导体衬底内形成NMOS晶体管LDD区。

2.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在形成NMOS晶体管LDD区后还包括步骤：

去除所述阻挡层；

在NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的栅极结构两侧形成侧墙；

分别以NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的栅极结构和侧墙为掩膜，分别在NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域形成源极和漏极。

3.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在形成应力衬垫层之后，在PMOS晶体管区域的栅极结构及应力衬垫层表面形成阻挡层之前，还包括步骤：

在PMOS晶体管区域的栅极结构两侧形成侧墙；

以掩膜层和PMOS晶体管区域的栅极结构及侧墙为掩膜，在PMOS晶体管区域的半导体衬底内形成源极和漏极。

4.如权利要求3所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在NMOS晶体管区域栅极结构两侧的半导体衬底内形成NMOS晶体管LDD区之后，还包括步骤：

在NMOS晶体管区域的栅极结构两侧形成侧墙；

以阻挡层和NMOS晶体管区域的栅极结构及侧墙为掩膜，在NMOS晶体管区域的半导体衬底内形成源极和漏极。

5.如权利要求2或3所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶体管区域的半导体衬底内形成源极和漏极方法为离子注入，注入的离子为硼，离子注入的能量范围为20KeV~45KeV，离子注入的剂量范围为5E13/cm²到8E14/cm²。

6.如权利要求2或4所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在NMOS晶体管区域的半导体衬底内形成源极和漏极方法为离子注入，注入的离子为砷，离子注入的能量范围为90keV~200keV，离子注入的剂量范围为5E13/cm²到8E14/cm²。

7.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成PMOS晶体管LDD区的方法为离子注入，注入的离子为硼或铟；

当注入的离子为硼时，离子注入的能量范围为12keV~35keV，离子注入剂量范围为1E13/cm²~1E14/cm²；

当注入的离子为铟时，离子注入的能量范围为8keV~30keV，离子注入剂量范围为1E13/cm²~1E14/cm²。

8.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，形成NMOS晶体管LDD区的方法为离子注入，注入的离子为磷或砷；

注入的离子为磷时，离子注入的能量范围为5keV~10keV，离子注入的剂量范围为1E13/cm²~1E14/cm²；

注入的离子为砷时，离子注入的能量范围为5keV~15keV，离子注入的剂量范围为1E13/cm²到1E13/cm²。

9.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶体管区域形成的所述应力衬垫层为西格玛形。

10.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶体管区域形成的所述应力衬垫层的材料为SiGe。

11.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在PMOS晶体管区域形成所述应力衬垫层的工艺为外延生长工艺。