[发明专利]微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件

权利要求书

1.微光电感单元，其特征在于，所述微光电感单元包括：

具有第一侧和第二侧的p-型半导体衬底，第一侧设置一凹槽，凹槽内填充有导电材料，所述第二侧掺杂有n-型离子；p-型半导体衬底的第二侧设置p-型外延层，p-型外延层包括：

靠近p-型半导体衬底并掺杂p-型离子的第一区域，和

设置在第一区域上的第二区域，第二区域的掺杂的p-型离子高于所述第一区域的掺杂水平。

2.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述凹槽为圆柱状。

3.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述凹槽具有宽高比为

4.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述凹槽口径为微米。

5.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述p-型半导体衬底选用单晶硅或砷化镓。

6.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述p-型外延层选用单晶硅或砷化镓。

7.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述导电材料是选自由n-型多晶硅或n-型多晶砷化镓。

8.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述导电材料为金属材料。

9.根据权利要求8所述的微光电感单元，其特征在于：所述微光电感单元还包括设置在凹槽的表面上，垂直于所述p型半导体衬底的第一侧的电绝缘层。

10.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述p-型半导体衬底厚度为20微米到600微米。

11.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述p-型外延层厚度为微米到5微米。

12.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述半导体光电倍增管还包括：设置在p型外延层的抗反射层。

13.根据权利要求1所述的微光电感单元，其特征在于：所述导电性材料与所述第二侧部之间的p型半导体衬底部分为0.2微米至10微米厚。

14.微光电感单元，其特征在于，所述微光电感单元包括：

具有第一侧和第二侧的n-型半导体衬底，第一侧设置一凹槽，凹槽内填充有导电材料，所述第二侧掺杂有p-型离子；n-型半导体衬底的第二侧设置n-型外延层，n-型外延层包括：

靠近n-型半导体衬底并掺杂n-型离子的第一区域，和

设置在第一区域上的第二区域，第二区域的掺杂的n-型离子高于所述第一区域的掺杂水平。

15.根据权利要求14所述的微光电感单元，其特征在于：所述n-型半导体衬底选用单晶硅或砷化镓。

16.根据权利要求14所述的微光电感单元，其特征在于：所述n-型外延层选用单晶硅或砷化镓。

17.根据权利要求14所述的微光电感单元，其特征在于：所述导电材料为金属材料；所述凹槽的表面上，垂直于所述n-型半导体衬底的第一侧的电绝缘层。

18.一种背读式半导体光电倍增管，其特征在于，所述导体光电倍增管包括如权利要求1-17任意项所述的微光电感单元，所述微光电感单元的p型半导体衬底或n-型半导体衬底的第一侧上的，设置有源和/或无源电子电路。

19.一种背读式半导体光电倍增管组件，其特征在于，所述导体光电倍增管包括若干个如权利要求18的背读式半导体光电倍增管，还包括设置的特定集成电路，所述特定集成电路连接所述背读式半导体光电倍增管p型或n-型半导体衬底的第一侧并与每个导电材料连接。