[发明专利]X射线平板探测装置的制造方法

权利要求书

1.一种X射线平板探测装置的制造方法，包括：

步骤1：提供一基板；

步骤2：在所述基板上形成像素开关、底电极和导电元件，所述底电极与导电元件通过连接部电连接成一个整体；

步骤3：在所述底电极上形成光电转换元件和顶电极；

步骤4：在所述薄膜晶体管的沟道上方形成遮光层的同时刻蚀所述连接部，使所述底电极与导电元件断开。

2.根据权利要求1所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述像素开关为非晶硅薄膜晶体管或二极管。

3.根据权利要求1所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述导电元件为数据线、扫描线或公共电极线。

4.根据权利要求1所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述连接部与导电元件采用同层材料制造。

5.根据权利要求1所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述光电转换元件包括N掺杂半导体层、本征半导体层、P掺杂半导体层。

6.根据权利要求1所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述底电极为金属材料，如铝、钕、钼、铬及其合金。

7.根据权利要求1所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述顶电极为氧化铟锡、氧化铟锌。

8.根据权利要求1所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述遮光层可为不透光有机材料或金属材料，如铝、钕、钼、铬、银及其合金。

9.根据权利要求4所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤21：在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、扫描线和有源层；

步骤22：在所述有源层和栅极绝缘层上沉积第二导电层；

步骤23：图案化所述第二导电层，形成漏极、源极、底电极、数据线、连接所述底电极和数据线的所述连接部，其中所述源极延伸至像素单元显示区域内与底电极电连接；

步骤24：继续刻蚀有源层在所述薄膜晶体管沟道区域形成凹槽。

10.根据权利要求9所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述步骤24包括，完全刻蚀掺杂非晶硅层暴露非晶硅层，有选择的刻蚀一部分非晶硅层。

11.根据权利要求9所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述步骤21包括：

步骤211：在基板上沉积第一导电层，图案化所述第一导电层，利用光刻工艺刻蚀形成栅极和扫描线；

步骤212：在所述栅极和所述扫描线上，依次沉积栅极绝缘层和有源层，其中所述有源层包括非晶硅层和掺杂非晶硅层；

步骤213：图案化所述非晶硅层和掺杂非晶硅层，刻蚀形成所述薄膜晶体管的有源层。

12.根据权利要求4所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤21：在所述基板上形成栅极、扫描线、栅极绝缘层、有源层和第一接触孔；

步骤22：在所述有源层、栅极绝缘层和部分所述扫描线上沉积所述第二导电层；

步骤23：图案化所述第二导电层，刻蚀形成漏极、源极、底电极、数据线和连接部，所述连接部通过所述第一接触孔与所述扫描线电连接，其中所述源极延伸至像素单元区域内与底电极电连接；

步骤24：继续刻蚀有源层在所述薄膜晶体管沟道区域形成凹槽。

13.根据权利要求12所述X射线平板探测装置的制造方法，其特征在于，所述步骤24包括，完全刻蚀掺杂非晶硅层暴露部分非晶硅层，有选择的刻蚀一部分非晶硅层，在所述薄膜晶体管沟道区域形成凹槽。

14.根据权利要求12所述X射线平板探测装置阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤21包括：

步骤211：在基板上沉积第一导电层，图案化所述第一导电层，刻蚀形成栅极和扫描线；

步骤212：在所述栅极和所述扫描线上，依次沉积栅极绝缘层和有源层，其中所述有源层包括非晶硅层和掺杂非晶硅层；

步骤213：图案化所述非晶硅层和掺杂非晶硅层，刻蚀形成所述薄膜晶体管的有源层；

步骤214：图案化所述栅极绝缘层，刻蚀暴露部分所述扫描线，形成第一接触孔。