[发明专利]ZnS纳米材料阵列的简单制备方法

权利要求书

1.ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于该方法具体是按照以下步骤制备的：

一、按(NH₂)₂CS物质的量和质量浓度为78%~82%N₂H₄·H₂O溶液的体积比为5mmol：33mL~35mL，称取(NH₂)₂CS和N₂H₄·H₂O溶液，将称取的(NH₂)₂CS溶解在N₂H₄·H₂O溶液中，采用磁力搅拌器搅拌20min~50min,控制转速为200r/min~300r/min，得到混合溶液；

二、处理锌，将锌放入浓度为0.6mol/L~1.0mo1/L稀盐酸中，在频率为60Hz~70Hz超声条件下放置5min~10min，再将锌取出放入无水乙醇中在90Hz~100Hz超声条件下放置15min~20min，再将锌取出放入去离子水中在90Hz~100Hz超声条件下放置15min~20min，再将锌取出，得到表面纯净的锌；

三、将步骤二处理的锌浸没于步骤一制备的混合溶液中，放入反应釜中，在温度为140℃~150℃条件下保持5h~7h，取出冷却至室温，取沉淀物依次用去离子水和无水乙醇在转速为3000r/min~5000r/min的条件下离心洗涤6次~10次，每次5min~10min，再将沉淀物放入真空干燥箱中，抽真空后在温度为50℃~60℃条件下保持5h~7h，得到ZnS纳米线束阵列。

2.根据权利要求1所述的ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于步骤一中N₂H₄·H₂O溶液的质量浓度为79%~81%。

3.根据权利要求2所述的ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于步骤一中搅拌30min~40min，控制速度为220r/min~280r/min。

4.根据权利要求3所述的ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于步骤二中稀盐酸的浓度为0.7mol/L~0.9mol/L。

5.根据权利要求4所述的ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于步骤三中放入反应釜中，在温度为142℃~148℃条件下保持6h。

6.根据权利要求5所述的ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于步骤三中在转速为3500r/min~4000r/min的条件下离心洗涤7次~9次，每次5min。

7.根据权利要求6所述的ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于步骤三中抽真空后在温度为52℃~58℃条件下保持5.5h~6h。