[发明专利]精细线条制备方法有效
| 申请号： | 201210395105.2 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779190B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;李春龙;贺晓彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 精细 线条 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种精细线条制备方法，包括：
在衬底上形成结构材料层和硬掩模层；
在硬掩模层上形成电子束光刻胶，执行电子束曝光形成电子束光刻胶图形；
以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀形成硬掩模图形；
以硬掩模图形为掩模，采用干法刻蚀技术刻蚀结构材料层，形成所需要的精细线条，
其中刻蚀结构材料层时，先执行Cl2、HBr的主刻蚀，然后执行HBr与O2的过刻蚀，在主刻蚀步骤增加辅助性的刻蚀气体，起到保护侧壁的作用，辅助性的刻蚀气体包括CHF3、CH3F、CH2F2及其组合，
刻蚀结构材料层之后进一步采用SPM/APM湿法清洗液的湿法腐蚀工艺去除刻蚀过程中产生的聚合物。
2.如权利要求1所述的方法，其中，硬掩模层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其组合。
3.如权利要求2所述的方法，其中，硬掩模层为氧化硅-氮化硅-氧化硅的叠层结构。
4.如权利要求1所述的方法，其中，硬掩模层的刻蚀采用等离子体干法刻蚀技术。
5.如权利要求4所述的方法，其中，采用碳氟基气体刻蚀硬掩模层，碳氟基气体包括CF4、CHF3、CH3F、CH2F2及其组合。
6.如权利要求1所述的方法，其中，刻蚀硬掩模之后还包括干法去胶和/或湿法腐蚀清洗。
7.如权利要求1所述的方法，其中，结构材料层为假栅电极层、金属栅电极层、局部互连层中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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