[发明专利]含有多层空穴传输层的有机发光二极管和平板显示装置有效

专利信息
申请号: 201210395191.7 申请日: 2012-10-17
公开(公告)号: CN103137879B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 高三一;朴美花;郑惠仁;郭允铉;申大烨;李宽熙 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L27/32
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司11018 代理人: 康泉,王珍仙
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 含有 多层 空穴 传输 有机 发光二极管 平板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管,包括:

第一电极;

面对所述第一电极的第二电极;

所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;

第一混合层,所述第一混合层在所述发光层和所述第一电极之间且包含第一化合物和第二化合物;

第二混合层,所述第二混合层在所述发光层和所述第一混合层之间且包含第三化合物和第四化合物;

第一电荷产生层,所述第一电荷产生层在所述第一混合层和所述第一电极之间且包含所述第一化合物、所述第二化合物和第一电荷产生材料;

第二电荷产生层,所述第二电荷产生层在所述第一混合层和所述第二混合层之间且包含所述第三化合物、所述第四化合物和第二电荷产生材料;和

缓冲层,所述缓冲层在所述发光层和所述第二混合层之间,

其中所述第一化合物和所述第三化合物各自独立地为由下列通式1表示的化合物,所述第二化合物和所述第四化合物各自独立地为由下列通式2表示的化合物:

<通式1>

其中在通式1中,

Ar11和Ar12各自独立地为取代或未取代的C5至C60亚芳基;

e和f各自独立地为0至5的整数;

R51至R58以及R61至R69各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1至C60烷基、取代或未取代的C2至C60烯基、取代或未取代的C2至C60炔基、取代或未取代的C1至C60烷氧基、取代或未取代的C3至C60环烷基、取代或未取代的C5至C60芳基、取代或未取代的C5至C60芳氧基或取代或未取代的C5至C60芳硫基;和

R59为苯基、萘基、蒽基、联苯基或吡啶基,或是其中至少一个氢原子被氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1至C20烷基和取代或未取代的C1至C20烷氧基中的至少一个取代了的苯基、萘基、蒽基、联苯基或吡啶基;和

<通式2>

其中在通式2中,

Ar1至Ar3各自独立地为取代或未取代的C5至C60亚芳基;

a和b各自独立地为0至5的整数;

c是1至5的整数;

R1至R5是各自独立的氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1至C60烷基、取代或未取代的C2至C60烯基、取代或未取代的C2至C60炔基、取代或未取代的C1至C60烷氧基、取代或未取代的C3至C60环烷基、取代或未取代的C5至C60芳基、取代或未取代的C5至C60芳氧基、取代或未取代的C5至C60芳硫基、-Si(R31)(R32)(R33)、-N(R34)(R35)或含氮原子基团,且R1至R5中的至少一个是含氮原子基团;

d是0至5的整数;

R11至R23是各自独立的氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1至C60烷基、取代或未取代的C2至C60烯基、取代或未取代的C2至C60炔基、取代或未取代的C1至C60烷氧基、取代或未取代的C3至C60环烷基、取代或未取代的C5至C60芳基、取代或未取代的C5至C60芳氧基、取代或未取代的C5至C60芳硫基、-Si(R36)(R37)(R38)或-N(R39)(R40);和

R31至R40各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1至C60烷基、取代或未取代的C2至C60烯基、取代或未取代的C2至C60炔基、取代或未取代的C1至C60烷氧基、取代或未取代的C3至C60环烷基、取代或未取代的C5至C60芳基、取代或未取代的C5至C60芳氧基、取代或未取代的C5至C60芳硫基或取代或未取代的C2至C60杂芳基;

其中含氮原子基团是包含氮原子作为环原子的五元芳环基、包含氮原子作为环原子的六元芳环基或包含氮原子作为环原子且由五元芳基和六元芳基稠合形成的九元芳环基。

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