[发明专利]一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法无效
申请号: | 201210395218.2 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN102864269A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 鲍玉龙;经喜东 | 申请(专利权)人: | 齐齐哈尔市精铸良铸造有限责任公司 |
主分类号: | C21C1/10 | 分类号: | C21C1/10;C22C33/10;C22C37/04 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 高会会 |
地址: | 161005 黑龙江省齐*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低温 腐蚀 球墨铸铁 制备 方法 | ||
1.一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于该制备方法按以下步骤进行:
一、熔炼铁液:先按Q10生铁和废钢的质量份数为60~80和20~40,称取Q10生铁和废钢,再按球磨铸铁用增碳剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为(3~5):100,按镍板的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为(1~1.5):100,称取球磨铸铁用增碳剂和镍板,然后将称取的Q10生铁、废钢、球磨铸铁用增碳剂和镍板加入到中频炉中,升温至温度为1500~1550℃,静置2~4min,出炉,得到铁液;
二、球化及孕育处理:首先按球化剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为(1.5~1.7):100,再按硅钡孕育剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为(0.7~0.9):100、硅铋孕育剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为(0.10~0.15):100,称取球化剂、硅钡孕育剂和硅铋孕育剂,然后将称取的球化剂放于浇注包的堤坝一侧,将称取的硅钡孕育剂均匀覆盖在球化剂上,再将步骤一的铁液在浇注温度为1310~1350℃的条件下,浇注到包中,浇注过程中随流加入称取的硅铋孕育剂,在温度为1420~1450℃的条件下,保温0.4~0.6min完成球化及孕育,得到热处理前的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁;
三、热处理:将步骤二中得到的热处理前的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁装入热处理炉中进行石墨化退火,其中石墨化退火的过程为:先将炉温升温至温度为920~940℃,保温2~3h,然后待炉冷至温度为730~750℃,保温2~3h,当炉冷至温度为600℃时,出炉空冷,完成热处理,得到耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁。
2.根据权利要求1所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤一中的Q10生铁中杂质总量∑T≤0.1%,废钢中成分及各成分质量分数为:C:0.17%~0.21%、S:0.012%~0.016%、P:0.020%~0.024%、Mn:0.26%~0.30%、Si:0.30%~0.40%。
3.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤一中Q10生铁和废钢的质量份数为70和30,球磨铸铁用增碳剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为1:25。
4.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤一中球磨铸铁用增碳剂中各成分及其质量百分比为:C:99.5%、S:0.03%。
5.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤一中镍板中Ni的质量分数为99.9%~99.99%。
6.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤二中步骤二中球化剂为DY-5钇基重稀土球化剂和GB4138-1993稀土镁合金FeSiMg8Re3球化剂的混合物,且两者质量比为1:1,球化剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为1.6:100。
7.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤二中硅钡孕育剂中Si的质量分数为44%-46%,Ba的质量分数为1%~3%,硅钡孕育剂的粒度为3~8mm,硅钡孕育剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为0.8:100。
8.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤二中硅铋孕育剂中Si的质量分数为62%~68%,Bi的质量分数为0.5%~1%,硅铋孕育剂的粒度为0.2~1mm,硅铋孕育剂的质量与Q10生铁和废钢的总质量之比为0.12:100。
9.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤二中浇注温度为1320~1340℃。
10.根据权利要求1或2所述的一种耐低温耐腐蚀风电球墨铸铁的制备方法,其特征在于步骤三中先将炉温升温至温度为925~935℃,再将炉温降温至温度为735~745℃。
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