[发明专利]用于存储器器件的内置自测试和自修复方法

权利要求书

1.一种在一次性编程存储器(OTPM)中存储随机存取存储器(RAM)

阵列的修复数据的方法，所述方法包括：

使用内置自测试和自修复(BISTR)模块进行所述RAM阵列的第一测试和修复以确定用于所述RAM阵列的第一修复数据，其中所述RAM阵列具有用于修复的冗余行和列；

将所述RAM阵列的所述第一修复数据存储在所述OTPM中；

将所述第一修复数据装载到所述RAM阵列的修复存储器中；

将所述第一修复数据装载到所述BISTR模块的修复存储器以及副本修复存储器中；

进行所述RAM阵列的第二测试和修复以确定未包括在所述第一修复数据中的故障位的第二修复数据；

将所述第二修复数据存储在所述BISTR模块的修复存储器中以及所述RAM阵列的修复存储器中；

使用XOR门对所述BISTR模块的修复存储器以及副本修复存储器中的修复数据进行处理；

将所述XOR门的输出存储到所述RAM阵列的修复存储器中；以及

将所述修复存储器的内容存储到所述OTPM中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述XOR门的输出使所述第一修复数据成为空以及保存所述第二修复数据，并将所述第二修复数据存储为与所述OTPM中的所述第一修复数据相邻。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对具有所述RAM阵列的管芯进行封装操作。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括对第二RAM进行权利要求1所述的步骤，其中，将所述第二RAM的修复数据存储在所述OTPM中的单独分段中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二RAM阵列经历测试及修复，以在所述第一修复数据或所述第二修复数据被发送到所述OTPM前收集额外的修复数据。

6.一种用于在一次性编程存储器(OTPM)中存储随机存取存储器(RAM)阵列的修复数据的系统，所述系统包括：

所述RAM阵列，所述RAM阵列包括主存储器、冗余行和列、以及第一修复寄存器存储器；

具有第二修复寄存器存储器的内置自测试和自修复(BISTR)模块，其中所述BISTR模块用于测试和修复所述RAM阵列；以及

所述一次性编程存储器(OTPM)，用于为所述RAM阵列存储来自多于一个的测试和修复阶段的修复数据，其中，来自不同测试和修复阶段的所述修复数据存储在同一数据分段中。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述BISTR模块的所述第二修复寄存器存储器包括修复寄存器分段以及副本修复寄存器分段；以及其中，所述BISTR模块具有XOR门，所述XOR门具有来自所述修复寄存器分段的一个输入以及来自所述副本修复寄存器分段的另一输入。

8.根据权利要求6所述的系统，其中，所述XOR门被配置成通过连接线将输出发送至所述第一修复寄存器存储器。

9.根据权利要求6所述的系统，其中，所述RAM阵列是静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、磁阻式RAM(MRAM)或闪存。

10.一种在一次性编程存储器(OTPM)中存储随机存取存储器(RAM)阵列的修复数据的系统，所述系统包括：

所述RAM阵列，其中所述RAM阵列包括主存储器、冗余行和列、以及第一修复寄存器存储器；

具有第二修复寄存器存储器的内置自测试和自修复(BISTR)模块，其中所述BISTR模块用于测试和修复所述RAM阵列，所述第二修复寄存器存储器包括修复寄存器分段以及副本修复寄存器分段，以及所述BISTR模块具有XOR门，所述XOR门具有来自所述修复寄存器分段的一个输入以及来自所述副本修复寄存器分段的另一输入；以及

所述一次性编程存储器(OTPM)，配置成用于为所述RAM阵列存储来自多于一次的测试和修复阶段的修复数据，其中来自不同测试和修复阶段的修复数据存储在同一数据分段中。