[发明专利]100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片

权利要求书

1.制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括在生长前对晶种的两面进行研磨。

2.根据权利要求1的方法，包括将晶种两面研磨成对表面的偏离小于10微米平面形状。

3.根据权利要求1的方法，包括将晶种两面研磨成对表面的偏离小于5微米平面形状。

4.根据权利要求1的方法，包括将晶种两面研磨成对表面的偏离小于2微米平面形状。

5.根据权利要求1的方法，包括：

通过使用研磨浆料结合硬表面对晶种进行研磨，以快速去除相当大量的材料；以及

然后抛光晶种，以制备半导体材料的抛光表面。

6.根据权利要求1的方法，包括使用其多型体为选自3C，4H，6H和15R多型体的碳化硅晶种开始生长。

7.制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括在1.4mm厚的晶种上生长块状单晶。

8.根据权利要求7的方法，包括将用于生长的晶种放置在与平面偏离不超过10微米的晶种支架上。

9.根据权利要求7的方法，包括在碳化硅衬底的晶种上生长块状单晶，所述碳化硅衬底的晶种具有的多型体选自3C，4H，6H和15R多型体。

10.制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括采用高温粘结剂将晶种放置在晶种支架上。

11.根据权利要求10的方法，包括采用石墨胶将晶种放置在晶种支架上。

12.根据权利要求10的方法，包括采用其多型体为选自3C，4H，6H和15R多型体的碳化硅晶种开始生长。

13.制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括向石墨晶种支架施用有机材料，以改善晶种支架在生长条件下的热均匀性。

14.根据权利要求13的方法，包括向晶种支架施用酚醛树脂。

15.根据权利要求13的方法，包括使用醇和酚醛树脂的混合物提高晶种支架的密度。

16.根据权利要求13的方法，包括使用比率为2.5:1的糠基醇和酚醛树脂的混合物提高晶种支架的密度。

17.根据权利要求13的方法，包括使晶种支架的热膨胀系数与碳化硅晶种的热膨胀系数匹配。

18.根据权利要求13的方法，包括使用其多型体为选自3C，4H，6H和15R多型体的碳化硅晶种开始生长。

19.制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括选择性地使晶种支架的热膨胀系数与碳化硅晶种的热膨胀系数匹配。

20.根据权利要求19的方法，包括使石墨晶种支架与碳化硅晶种材料匹配。

21.根据权利要求19的方法，包括使用其多型体为选自3C，4H，6H和15R多型体的碳化硅晶种开始生长。

22.制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括：

从具有面向晶种支架的、与平面偏离不超过10微米的表面的晶种生长块状单晶。

23.根据权利要求22的方法，从具有面向晶种支架的、与平面偏离不超过5微米的表面的晶种生长块状单晶。

24.根据权利要求22的方法，包括从具有面向晶种支架的、与平面偏离不超过2微米的表面的晶种生长块状单晶。

25.根据权利要求22的方法，包括从具有面向晶种支架的、与平面偏离不超过1微米的表面的晶种生长块状单晶。

26.根据权利要求22的方法，包括使用其多型体为选自3C，4H，6H和15R多型体的碳化硅晶种开始生长。

27.制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括：

通过防止晶种和晶种支架之间的任何间隙超过10微米，使面向晶种支架的晶种表面与晶种支架的形状彼此相符合。

28.根据权利要求27的方法，包括防止晶种和晶种支架之间的任何间隙超过5微米。

29.根据权利要求27的方法，包括防止晶种和晶种支架之间的任何间隙超过2微米。