[发明专利]一种用于全固态电储能器件的电子存储材料无效
申请号: | 201210395543.9 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN102903524A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 汪前东;叶钢;王俊梅;何敏;刘必前 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所;刘必前 |
主分类号: | H01G9/028 | 分类号: | H01G9/028 |
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地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 固态 电储能 器件 电子 存储 材料 | ||
1.一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于该电子存储材料为具有大共轭结构的有机金属配合物。
2.根据权利要求1所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的有机金属配合物是铝、锌、镓、铟的配合物。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的金属配合物为
中的一种或几种的混合物。
4.根据权利要求1-3所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的金属配合物的纯度≥96%。
5.根据权利要求1-4所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的电子存储材料制备全固态电储能器件时,正电荷存储材料可以为有机硅化合物、聚对苯撑乙烯、聚乙烯咔唑、聚酚噻嗪中的一种或几种的混合物。
6.根据权利要求1-4所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的电子存储材料制备全固态电储能器件时,可以用真空蒸镀、湿法、蒸气喷印、气相沉积、丝网印刷、喷墨打印的方法制备成电子存储材料薄膜,薄膜的厚度为100nm~10μm。
7.根据权利要求1-4所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的电子存储材料制备全固态电储能器件时,绝缘材料为有机聚合物/高介电常数物质的混合物。
8.根据权利要求1-4所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的电子存储材料制备全固态电储能器件时,电极为金属银或其合金、金属铝或其合金、金属铝包覆氧化铝薄膜中一种。
9.根据权利要求3所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的R1、R2、R3为铝、镓、铟中的一种;所述的R4为CH3OH、Cl中的一种。
10.根据权利要求7所述的一种用于全固态电储能器件的电子存储材料,其特征在于所述的有机聚合物为聚酰亚胺、聚酯、聚四氟乙烯中的一种;所述的高介电常数物质为钨酸铅、钛酸钡中的一种。
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