[发明专利]一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管有效
| 申请号： | 201210395973.0 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779169A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王卫国;李海洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01J49/16 | 分类号： | H01J49/16 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 放电 电离 离子 迁移 | ||
1.一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管，包括沿轴线分布的漂移区（12）、栅网（8）、离子接收极（9），其特征在于：于远离离子接收极（9）的漂移区（12）的一侧设有表面放电离子源；
表面放电电离源包括脉冲推斥电极（4）、表面放电高压电极（1）和地电极（2）、绝缘基底（11），脉冲推斥电极（4）垂直于离子迁移管的轴线放置，于脉冲推斥电极（4）靠近漂移区（12）一侧的表面上设置有板状的绝缘基底（11），表面放电高压电极（1）和地电极（2）镶嵌于绝缘基底（11）内，表面放电高压电极（1）和地电极（2）的放电端面向远离脉冲推斥电极（4）一侧，且它们的放电端于脉冲推斥电极（4）上的投影相互间隔；于绝缘基底（11）远离脉冲推斥电极（4）一侧表面形成表面放电区（3）。
2.如权利要求1所述的表面放电电离源，其特征在于：所述表面放电高压电极（1）和地电极（2）嵌入在绝缘基底（11）内部，且二者的间距大于放电高压电极（1）和地电极（2）到靠近漂移区（12）一侧绝缘基底（11）表面的距离。
3.如权利要求1所述的表面放电电离源，其特征在于：所述表面放电高压电极（1）上施加一交流电压，电压在200V到30kV，频率在30Hz到80kHz。
4.如权利要求1所述的离子迁移管，其特征在于：漂移区（12）是由同轴的电极环组（7）构成，电极环组（7）与控制电极电连接，电极环组（7）内的空间构成漂移区（12）；于电极环组（7）左端靠近表面放电离子源侧设有排斥电极环（6），排斥电极环（6）与电极环组（7）同轴。
5.如权利要求1所述的离子迁移管，其特征在于：样品检测时脉冲推斥电极（4）上所施加的排斥电压要高于排斥电极环（6）的电势、排斥电极环（6）的电势高于电极环组（7）的电势，脉宽在1us到50ms之间，周期大于10ms；不测样品时，脉冲推斥电极（4）上无电压，同时排斥电极环（6）的电压低于电极环组（7）的电压，避免产生离子干扰信号。
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