[发明专利]金属互连结构的制作方法

权利要求书

1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成第一图案硬掩模层，所述第一图案硬掩模层具有多个线条状图形；

在所述第一缓冲层和所述第一图案硬掩模层上形成第二缓冲层；

在所述第二缓冲层上形成第二图案硬掩模层，所述第二图案硬掩模层具有多个线条状图形，所述第二图案硬掩模层的线条状图形和所述第一图案硬掩模层的线条状图形互相交叉；

以所述第二图案硬掩模层和第一图案硬掩模层为掩模，刻蚀所述第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成缓冲层图案，所述缓冲层图案包括形成在第二缓冲层中、与所述第二图案硬掩模层图形相对应的第二图案和形成在第一缓冲层中、与第一及第二图案硬掩模层叠合图形相对应的第三图案；

以所述缓冲层图案为掩模，刻蚀所述介质层，所述刻蚀进行至在第二图案硬掩模层下方的第二缓冲层消失后继续进行，在第一图案硬掩模层下方的第一缓冲层消失前停止，以在所述介质层内形成多个通孔及连接至少两个通孔的沟槽；

去除残留的第一缓冲层。

2.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材料与所述第二缓冲层的材料相同。

3.如权利要求2所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第二缓冲层与所述介质层的刻蚀选择比小于或等于2。

4.如权利要求3所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅；所述第一缓冲层的材料包括多晶硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一图案硬掩模层的材料与所述第二图案硬掩模层的材料相同。

6.如权利要求5所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第一图案硬掩模层的刻蚀选择比大于或等于10。

7.如权利要求6所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材料包括多晶硅或氮化硅；所述第一图案硬掩模层的材料包括二氧化硅。

8.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述介质层的厚度范围是至

9.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一图案硬掩模层的厚度范围是

10.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一图案硬掩模层采用自对准式双重曝光光刻工艺形成。

11.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第二图案硬掩模层采用自对准式双重曝光光刻工艺形成。

12.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述去除残留的第一缓冲层的步骤，包括：

在所述通孔及沟槽中填充保护层；

刻蚀去除第一缓冲层；

去除所述保护层。

13.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一图案硬掩模层为纵向排布的多个线条状图形。

14.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第二图案硬掩模层为横向排布的多个线条状图形。