[发明专利]太阳能电池吸收层薄膜结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210397509.5 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103165696A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 谢祥渊;周德才 | 申请（专利权）人： | 广东金光伏能源投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 510075 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 吸收 薄膜 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池吸收层薄膜结构，其特征在于：包括依次叠置的第一薄膜层与第二薄膜层，所述第一薄膜层是CuInSe2薄膜层；所述第二薄膜层是CuInGaSe2薄膜层、CuInAlSe2薄膜层或者CuInBSe2薄膜层。
2.一种太阳能电池吸收层薄膜结构，其特征在于：包括依次叠置的第一薄膜层与第二薄膜层，所述第一薄膜层是CuInSe2薄膜层；所述第二薄膜层是CuInS2薄膜层或者CuInGaS2薄膜层。
3.一种太阳能电池吸收层薄膜结构，其特征在于：包括依次叠置的第一薄膜层与第二薄膜层，所述第一薄膜层是CuInGaSe2薄膜层、CuInAlSe2薄膜层或者CuInBSe2薄膜层；所述第二薄膜层是CuInS2薄膜层或者CuInGaS2薄膜层。
4.一种太阳能电池吸收层薄膜结构，其特征在于：包括叠置的三个薄膜层；
其中一个薄膜层是CuInSe2薄膜层；
另外一个薄膜层是CuInGaSe2薄膜层、CuInAlSe2薄膜层或者CuInBSe2薄膜层；
余下一个薄膜层是CuInS2薄膜层或者CuInGaS2薄膜层。
5.一种制造如权利要求1、2或3所述太阳能电池吸收层薄膜结构的方法，其特征在于：先在基板上蒸镀形成所述第一薄膜层，然后在所述第一薄膜层上蒸镀形成所述第二薄膜层，得到所述太阳能电池吸收层薄膜结构。
6.一种制造如权利要求4所述太阳能电池吸收层薄膜结构的方法，其特征在于：在基板上依次蒸镀形成所述三个薄膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
