[发明专利]层叠封装器件及封装半导体管芯的方法在审
| 申请号： | 201210397947.1 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103094260A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 余振华;李建勋;陈永庆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 封装 器件 半导体 管芯 方法 | ||
1.一种层叠封装(PoP)器件，包括：
第一封装管芯；
第二封装管芯，与所述第一封装管芯耦合；以及
多个金属柱形凸块，设置在所述第一封装管芯和所述第二封装管芯之间，其中，所述多个金属柱形凸块中的每一个都包括凸块区域和耦合至所述凸块区域的尾部区域，并且所述多个金属柱形凸块中的每一个都内嵌在焊点中。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一封装管芯包括耦合至第一衬底的第一管芯，并且所述第二封装管芯包括耦合至第二衬底的第二管芯。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第二封装管芯包括垂直堆叠在所述第二衬底上方的多个第二管芯。
4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述多个金属柱形凸块耦合至所述第一衬底，并且所述多个金属柱形凸块中的每一个都包括大约50μm至300μm的高度以及包括与所述第一衬底邻近的大约50μm到200μm的直径。
5.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第一衬底或者所述第二衬底包括设置在其中的多个衬底通孔。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述多个金属柱形凸块包括选自基本上由Cu、Al、Au、Pt、Pd以及它们的组合所组成的组的材料。
7.一种层叠封装(PoP)器件，包括：
底部封装管芯，包括设置在其顶面上的多个金属柱形凸块，所述多个金属柱形凸块中的每一个都包括凸块区域和耦合至所述凸块区域的尾部区域；以及
顶部封装管芯，与所述底部封装管芯耦合，所述顶部封装管芯包括形成在其底面上的多个接触件，其中，所述底部封装管芯上的所述多个金属柱形凸块中的每一个都内嵌在与所述顶部封装管芯上的所述多个接触件中的一个接触件耦合的焊点中。
8.根据权利要求7所述的器件，进一步包括设置在所述底部封装管芯的底面上的多个焊球。
9.根据权利要求7所述的器件，其中，所述多个金属柱形凸块中的每一个都完全延伸至所述顶部封装管芯上的所述多个接触件中的一个。
10.一种封装半导体管芯的方法，所述方法包括：
将第一管芯耦合至第一衬底的顶面；
将多个金属柱形凸块耦合至所述第一衬底的顶面，所述多个金属柱形凸块中的每一个都包括凸块区域和耦合至所述凸块区域的尾部区域；
将第二管芯耦合至第二衬底的顶面；
在所述第二衬底的底面上形成多个焊球；
在所述第二衬底的顶面上的所述第二管芯的上方形成模塑料；以及
将所述第一衬底的顶面上的所述多个金属柱形凸块中的每一个都耦合至所述第二衬底的底面上的所述多个焊球中的一个。
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