[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201210398247.4 | 申请日: | 2010-08-11 |
公开(公告)号: | CN103022075A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 浅木玲生 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
本申请是分案申请,其原案申请的申请号为201010251673.6,申请日为2010年8月11日,发明名称为“显示设备”。
技术领域
本发明涉及一种具有诸如有机EL(场致发光)元件或无机EL元件的自发光元件的显示设备。
背景技术
在使用诸如有机EL元件的自发光元件的显示设备中,在一对基板的中的一个上设置自发光元件,并且在另一个上设置遮光黑底(black matrix)(例如,见日本专利申请公开第2006-73219号)。在这种早先的真彩色显示设备中,通过混合来自单色自发光元件的发射光的颜色来显示白色或中间色。
发明内容
但是,这种早先的显示设备具有如下难题,即,当颜色间的视角特性变化时,白平衡被破坏,因此,白色或中间色的色度根据视角而变化。造成颜色间的视角特性差异的主要原因包括:用来提高光提取效率的谐振效应或干涉效应的使用、或者发光区的尺寸在各颜色之间变化以补偿由于老化引起的亮度平衡的破坏。
期望提供一种可以减小白色或中间色的色度的视角依赖性的显示设备。
根据本发明实施方式的显示设备具有下面的组件(A)~(C):
(A)一对相对的基板;
(B)遮光膜,设置在一对基板的其中一个上,同时具有多个开口;以及
(C)多个自发光元件,设置在一对基板的另一个上,每个元件具有面对每个开口的发光区,并具有与其它元件不同的发光颜色,其中,至少一个元件在显示面方向上从发光区的一端至遮光膜的开口的间隔距离与其它元件不同。
在根据本发明实施方式的显示设备中,多个自发光元件发出颜色彼此不同的单色光,并且通过混合单色光的颜色来显示白色或中间色。
在这种情况下,当在斜向方向上观察多个自发光元件时,由遮光膜形成阴影部。如果阴影部与自发光元件的发光区重叠,则这种重叠的部分变为发射光被遮光膜遮挡的遮光区,因此亮度根据遮光区的面积而减小。
在显示设备中,由于至少一个自发光元件在显示面方向上从发光区的一端至遮光膜的开口的间隔距离与其它元件不同,所以所述自发光元件的遮光面积与发光区面积的比率与其它自发光元件不同,因此,由于遮光膜的遮光而引起的亮度降低的水平与其它元件不同。这样,由于遮光膜的遮光而引起的亮度降低的水平在各颜色间变化。因此,当在各颜色间存在视角特性的差异时,可以减小这种差异,因此,可以抑制根据白色或中间色的视角的色度变化。
在根据本发明实施方式的显示设备中,由于使至少一个发光元件在显示面方向上从发光区的一端至遮光膜的开口的间隔距离与其它自发光元件不同,所以通过使用由于遮光膜的遮光而引起的亮度降低来减小各颜色间的视角特性的差异,从而,可以降低白色或中间色的色度的视角依赖性。
从以下说明中,本发明的其它和进一步的目的、特征和优点将更加明显。
附图说明
图1示出了根据本发明第一实施方式的显示设备的结构的平面图。
图2以放大方式示出了图1中所示的显示设备的一个像素的平面图。
图3示出了沿着图2中所示的像素的截面图。
图4以放大方式示出了根据计算实例1的像素的平面图。
图5示出了图4中所示像素的截面图。
图6示出了图4中所示的像素的色度-视角特性的曲线图。
图7以放大方式示出了根据比较实例1的像素的平面图。
图8以放大方式示出了根据计算实例2的像素的平面图。
图9示出了图8中所示像素的截面图。
图10示出了图8中所示像素的色度-视角特性的曲线图。
图11以放大方式示出了根据比较实例2的像素的平面图。
图12示出了图1中所示的显示设备的结构的示图。
图13示出了图12中所示的像素驱动电路的实例的示图。
图14示出了图12中所示的有机EL元件的结构的截面图。
图15示出了图12中所示的有机EL元件的另一种结构的截面图。
图16以放大方式示出了根据变形实例1的像素的平面图。
图17示出了图16的像素的变形实例的平面图。
图18示出了包括根据实施方式的显示设备的模块的示意性结构的平面图。
图19示出了根据实施方式的显示设备的应用实例1的外观的透视图。
图20A和图20B是透视图,其中,图20A示出了从正面侧看去的应用实例2的外观,并且图20B示出了从背面侧看去的外观。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的