[发明专利]IMD测量电路结构和IMD性能测试方法有效
| 申请号： | 201210398546.8 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779327A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宋卓;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | imd 测量 电路 结构 性能 测试 方法 | ||
1.一种IMD测量电路结构，设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间，其特征在于：所述IMD测量电路结构包括金属线层对金属线层metal to metal结构、通孔末端对金属线层via end to metal结构、上层金属线层对下层金属线层upper metal to bottom metal结构以及通孔对通孔via to via结构。
2.根据权利要求1所述的IMD测量电路结构，其特征在于：所述IMD测量电路结构还包括Low-k材料的介质层，所述IMD测量电路结构中所有的金属线层和通孔均位于所述Low-k材料的介质层中。
3.根据权利要求2所述的IMD测量电路结构，其特征在于：所述金属线层对金属线层结构中，不同的金属线层之间填充有Low-k材料的介质层；所述通孔末端对金属线层结构中，通孔和金属线层之间填充有Low-k材料的介质层；所述上层金属线层对下层金属线层结构中，上层金属线层和下层金属线层之间填充有Low-k材料的介质层；所述通孔对通孔结构中，通孔和通孔之间填充有Low-k材料的介质层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的IMD测量电路结构，其特征在于：与所述第一测量焊垫电连接的金属线层和通孔不与所述第二测量焊垫电连接，与所述第二测量焊垫电连接的金属线层和通孔不与所述第一测量焊垫电连接。
5.一种IMD性能测试方法，包括：
在第一测量焊垫和第二测量焊垫之间建立IMD测量电路结构；
对所述第一测量焊垫和第二测量焊垫施加电压；
测量第一测量焊垫和第二测量焊垫之间电压、以及流经所述第一测量焊垫或者第二测量焊垫的电流，以获取关于所述IMD测量电路结构的I-V特征曲线；
根据所述I-V特征曲线判断所述IMD测量电路结构的性能。
6.根据权利要求5所述的IMD性能测试方法，其特征在于，所述IMD测量电路结构包括金属线层对金属线层metal to metal结构、通孔末端对金属线层via end to metal结构、上层金属线层对下层金属线层upper metal to bottom metal结构以及通孔对通孔via to via结构。
7.根据权利要求6所述的IMD性能测试方法，其特征在于，所述IMD测量电路结构还包括Low-k材料的介质层，所述IMD测量电路结构中所有的金属线层和通孔均位于所述Low-k材料的介质层中。
8.根据权利要求7所述的IMD测量电路结构，其特征在于：所述金属线层对金属线层结构中，不同的金属线层之间填充有Low-k材料的介质层；所述通孔末端对金属线层结构中，通孔和金属线层之间填充有Low-k材料的介质层；所述上层金属线层对下层金属线层结构中，上层金属线层和下层金属线层之间填充有Low-k材料的介质层；所述通孔对通孔结构中，通孔和通孔之间填充有Low-k材料的介质层。
9.根据权利要求6至8任一项所述的IMD性能测试方法，其特征在于：与所述第一测量焊垫电连接的金属线层和通孔不与所述第二测量焊垫电连接，与所述第二测量焊垫电连接的金属线层和通孔不与所述第一测量焊垫电连接。
10.根据权利要求5所述的IMD性能测试方法，其特征在于，所述IMD测量电路结构的性能包括击穿电压Vbd和介质层经时击穿效应TDDB。
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