[发明专利]具有自对准沟道宽度的晶体管有效
申请号: | 201210399143.5 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN103066111A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 柳政澔;真锅宗平 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 对准 沟道 宽度 晶体管 | ||
1.一种装置,其包括:
晶体管,其包括:
源极及漏极,其安置于衬底中;及
栅极,其安置于所述衬底上面,其中所述栅极包含:
第一纵向部件,其安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的沟道延续,其中所述第一纵向部件安置于第一结隔离区上方;
第二纵向部件,其安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的所述沟道延续,其中所述第二纵向部件安置于所述源极及所述漏极的与所述第一纵向部件相对的侧上,且其中所述第二纵向部件安置于第二结隔离区上方;及
横向部件,其大致垂直于所述晶体管的所述沟道延续且将所述第一纵向部件连接到所述第二纵向部件,其中所述横向部件安置于所述源极及所述漏极上面以及其之间。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置包括图像像素,所述装置进一步包括:
光敏元件,其用于响应于光而积累图像电荷;
浮动扩散区,其用以从所述光敏元件接收所述图像电荷;及
传送栅极,其安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区之间以选择性地将所述图像电荷从所述光敏元件传送到所述浮动扩散区,
其中所述晶体管经耦合以从所述浮动扩散区读出所述图像电荷。
3.根据权利要求2所述的装置,其中传送晶体管包含所述光敏元件、所述浮动扩散区及所述传送栅极,且其中所述晶体管的所述栅极包含于所述图像像素的任何晶体管中,所述传送晶体管的所述传送栅极除外。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述栅极进一步包含:
第一包封部件,其平行于所述横向部件延续且连接到所述第一纵向部件及所述第二纵向部件;
漏极腔,其安置于所述漏极上方且由所述第一包封部件、所述横向部件以及所述第一及第二纵向部件的部分环绕;
第二包封部件,其平行于所述横向部件延续且在所述第一及第二纵向部件的与所述第一包封部件相对的侧上连接到所述第一纵向部件及所述第二纵向部件;及
源极腔,其安置于所述源极上方且由所述第二包封部件、所述横向部件以及所述第一及第二纵向部件的部分环绕。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述漏极腔在所述漏极上面对准,且所述源极腔在所述源极上面对准。
6.根据权利要求4所述的装置,其中所述晶体管的所述沟道的宽度为所述第一纵向部件与所述第二纵向部件之间的距离。
7.根据权利要求4所述的装置,其中所述源极及所述漏极包含轻掺杂区及高掺杂区。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述晶体管的所述沟道的宽度为所述第一纵向部件与所述第二纵向部件之间的所述距离。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述源极及所述漏极包含轻掺杂区及高掺杂区。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述源极的所述高掺杂区及所述漏极的所述高掺杂区偏移而不在所述横向部件下方对准。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述源极的至少一部分及所述漏极的至少一部分在所述横向部件、所述第一纵向部件的内侧边缘及所述第二纵向部件的内侧边缘下方对准。
12.根据权利要求1所述的装置,其中所述漏极及所述源极为大致T形的。
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