[发明专利]一种鳍片型场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种鳍片型场效应晶体管的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底上形成鳍片，所述鳍片形状为梯形；

在所述鳍片的具有较长底边的第一侧与具有较短底边的第二侧之间形成栅极；

在所述鳍片的所述第一侧上形成源区，在所述鳍片的所述第二侧上形成漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片的形成方法包括：在所述半导体衬底上形成硬掩膜层，构图所述硬掩膜层以在所述硬掩膜层上和所述半导体衬底上形成鳍片掩膜；蚀刻所述硬掩膜层和所述半导体衬底的一部分以形成鳍片图案；蚀刻去除所述硬掩膜层以形成所述鳍片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述栅极侧面形成侧墙的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为绝缘体上硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片材料为硅或硅锗。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片在所述漏区一端有比所述源区一端小的特征尺寸。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片在所述漏区一端与所述源区一端的特征尺寸的差值可以调节。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述栅极的形成方法包括：采用自由基氧化表面平坦化工艺平坦化所述多晶硅栅。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述自由基氧化表面平坦化工艺包括：

a）采用7nm自由基氧化所述多晶硅栅表面；

b）利用HCL/HF溶液去除生成的氧化层；

c）清洗所述多晶硅栅；

重复步骤a）-c）一次或多次。

11.一种鳍片型场效应晶体管，包括：

半导体衬底；

位于所述衬底上的鳍片，所述鳍片形状为梯形；

在所述鳍片的具有较长底边的第一侧与具有较短底边的第二侧之间形成的栅极；

在所述鳍片的所述第一侧上形成的源区，在所述鳍片的所述第二侧上形成的漏区。

12.根据权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述半导体衬底为绝缘体上硅。

13.根据权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述鳍片材料为硅或硅锗。

14.根据权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述鳍片在所述漏区一端有比所述源区一端小的特征尺寸。

15.根据权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述鳍片在所述漏区一端与所述源区一端的特征尺寸的差值可以调节。

16.根据权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅。