[发明专利]一种输出漏电保护装置有效

专利信息
申请号: 201210399764.3 申请日: 2012-10-19
公开(公告)号: CN102882183A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 毛建国;陈恒留 申请(专利权)人: 深圳市晶福源电子技术有限公司
主分类号: H02H3/26 分类号: H02H3/26
代理公司: 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 代理人: 胡朝阳;孙洁敏
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 输出 漏电 保护装置
【权利要求书】:

1.一种输出漏电保护装置,其特征在于所述漏电保护装置包括:检测电路和控制保护电路;

所述检测电路包括输出+(输出正极)对PE(Protective Earth,地线)的检测电路和PE对输出-(输出负极)的检测电路;所述输出+对PE的检测电路包括用于控制所述输出+对PE的检测电路导通与截止的第一开关回路,所述PE对输出-的检测电路包括用于控制所述PE对输出-的检测电路导通与截止的第二开关回路; 第一脉冲信号控制所述第一开关回路的导通与截止,第二脉冲信号控制第二开关回路的导通与截止;其中,所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号不得同时为高电平,所述输出+及所述输出-均为所述高压直流电源系统的系统输出;

所述控制保护电路,用于在所述第一开关回路和所述第二开关回路之一导通,而另一个开关回路所在的检测电路中的系统输出与PE之间存在一个电阻时,在所述检测电路的控制下输出模块硬件关机信号,该模块硬件关机信号用于指示该高压直流电源系统关机。

2.如权利要求1所述的输出漏电保护装置,其特征在于:

所述输出+对PE的检测电路包括依次串联连接于输出+和PE之间的:至少一个第一限流电阻,第一光耦原边,防反接二极管D1和所述第一开关回路,所述防反接二极管D1用于防该检测电路接反误动作和所述保护第一光耦原边反向击穿;

所述PE对输出-的检测电路包括依次串联连接于PE与输出-之间的:至少一个第二限流电阻,第二光耦原边,防反接二极管D2和第二开关回路,所述防反接二极管D2用于防该检测电路接反误动作和保护所述第二光耦原边反向击穿。

3.如权利要求2所述的输出漏电保护装置,其特征在于:

所述输出+对PE的检测电路还包括一个泄放电流电阻R3,所述泄放电流电阻R3并联于所述第一光耦原边两端,用于给弱电流信号一个通路,避免所述第一光耦原边误导通;

所述PE对输出-的检测电路还包括一个泄放电流电阻R7,所述泄放电流电阻R7并联于所述第二光耦原边两端,用于给弱电流信号一个通路,避免所述第二光耦原边误导通。

4.如权利要求2所述的输出漏电保护装置,其特征在于:

所述控制保护电路包括第一光耦副边、第二光耦副边以及上拉电阻R9;所述第一光耦副边与所述第二光耦副边并联后,一端通过所述上拉电阻R9接到辅助电源VDD,另一端下拉相连GND;所述上拉电阻R9与所述第一光耦副边、所述第二光耦副边之间的节点输出所述模块硬件关机信号。

5.如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的输出漏电保护装置,其特征在于:

所述第一开关回路包括所述第一开关管,所述第一开关管的控制极接收所述第一脉冲信号;所述第二开关回路包括所述第二开关管,所述第二开关管的控制极接收所述第二脉冲信号。

6.如权利要求5所述的输出漏电保护装置,其特征在于:

所述第一开关管、所述第二开关管均为MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,即金属氧化物半导体型场效应管);所述第一开关管的控制极以及所述第二开关管的控制极为MOS管的G极;

则所述第一开关回路还包括一个用于抗干扰的电阻R4,所述电阻R4并联在所述第一开关管Q1的G极与S极之间;所述第二开关回路还包括一个用于抗干扰的电阻R8,所述电阻R8并联在所述第二开关管Q2的G极和S极之间。

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