[发明专利]全固态薄膜电致变色玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种全固态薄膜电致变色玻璃，其包括基片，其特征在于：该全固态薄膜电致变色玻璃还包含通过气相沉积法依次形成于该基片上的离子阻挡层、第一透明导电层、无机变色层、无机离子导体层、无机离子储存层、第二透明导电层及保护层。

2.如权利要求1所述的全固态薄膜电致变色玻璃，其特征在于：该基片为超白玻璃，其厚度为3～10毫米。

3.如权利要求2所述的全固态薄膜电致变色玻璃，其特征在于：该基片的厚度为6毫米。

4.如权利要求1所述的全固态薄膜电致变色玻璃，其特征在于：该离子阻挡层的厚度为15～30纳米，该第一透明导电层的厚度为100～600纳米、该无机变色层的厚度为50～300纳米、该无机离子导体层的厚度为200～1200纳米、该无机离子储存层的厚度为0～700纳米、该第二透明导电层的厚度为100～600纳米，该保护层的厚度为30～50纳米。

5.如权利要求4所述的全固态薄膜电致变色玻璃，其特征在于：该离子阻挡层的厚度为17～23纳米，该第一透明导电层的厚度为200～300纳米、该无机变色层的厚度为150～250纳米、该无机离子导体层的厚度为500～1000纳米、该无机离子储存层的厚度为200～550纳米、该第二透明导电层的厚度为100～300纳米，该保护层的厚度为34～43纳米。

6.如权利要求1所述的全固态薄膜电致变色玻璃，其特征在于：该离子阻挡层包含硅的氧化物、钛的氧化物或硅的氮化物；该第一透明导电层包含氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡或锂银合金；该无机变色层包含氧化钨、氧化钼、氧化铌、氧化钛、氧化镍、氧化铱、氧化钒、氧化铑或氧化钴；该无机离子导体层包含磷酸锂、氮化磷酸锂、硅酸锂、铝酸锂、硅酸铝锂、铬酸锂、硫酸硼锂、钒酸锂、钽酸锂、锂的氮化物、铬的氧化物或钽的氧化物；该无机离子储存层包含锂、钴酸锂、磷酸铁锂、钛酸锂、镍酸锂、锰酸锂、铬酸锂、碳酸锂、钒酸锂、钒酸镍锂、镍的氧化物、钒的氧化物、钼的氧化物或钛的氧化物；该第二透明导电层包含氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡、锂银合金或低辐射复合层；该保护层包含硅的氮化物、硅的氧化物或钛的氧化物。

7.一种全固态薄膜电致变色玻璃的制备方法，其包括以下步骤：

将基片放置于真空溅射区；以及

通过气相沉积法依次在该基片上形成离子阻挡层、第一透明导电层、无机变色层、无机离子导体层、无机离子储存层、第二透明导电层及保护层。

8.根据权利要求7所述的全固态薄膜电致变色玻璃的制备方法，其特征在于：该气相沉积法为磁控溅射。

9.根据权利要求8所述的全固态薄膜电致变色玻璃的制备方法，其特征在于：该真空溅射区的本底真空度小于5.0×10-6毫巴。

10.根据权利要求8所述的全固态薄膜电致变色玻璃的制备方法，其特征在于：通过气相沉积法依次在该基片上形成离子阻挡层、第一透明导电层、无机变色层、无机离子导体层、无机离子储存层、第二透明导电层及保护层的过程为：

用旋转阴极直流磁控反应溅射沉积形成该阻挡层；

用平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积形成该第一透明导电层；

用平面阴极或双旋转阴极、直流加脉冲磁控溅射或射频反应磁控溅射沉积形成该无机变色层；

用平面阴极或双旋转阴极、射频反应磁控溅射沉积形成该离子导体层；

用平面阴极或双旋转阴极、射频反应磁控溅射沉积形成该离子储存层；

用平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积形成该透明导电层；以及

用旋转阴极直流反应磁控溅射形成该保护层。