[发明专利]一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种硅通孔超薄晶圆测试结构，其特征在于，包括一带有重新布线层的转接板，所述转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。

2.如权利要求1所述的硅通孔超薄晶圆测试结构，其特征在于：所述键合结构为导电性凸点。

3.如权利要求1所述的硅通孔超薄晶圆测试结构，其特征在于，所述键合结构为下列中的一种：临时键合胶层、光刻胶层或导电银浆层。

4.如权利要求1所述的硅通孔超薄晶圆测试结构，其特征在于：所述键合结构为限制待测试的超薄晶圆上凸点的横向位移的限位结构和/或限制该凸点的横向、纵向位移的锁闭结构。

5.如权利要求1所述的硅通孔超薄晶圆测试结构，其特征在于：所述重新布线层位于所述转接板的第一表面和/或第二表面，该第一表面和/或该第二表面制作有集成电路或微传感器结构；所述转接板包含贯穿该第一表面和该第二表面的硅通孔结构，该硅通孔与所述集成电路或微传感器结构通过所述重新布线层的互连线相连。

6.一种硅通孔超薄晶圆测试方法，其步骤包括：

1）将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与一带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接；

2）通过晶圆测试设备对与所述转接板键合后的超薄晶圆进行测试。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：采用凸点硬接触的方式进行所述临时键合。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：在所述超薄晶圆上设置凸点，在所述转接板上设置限制该凸点横向位移的限位结构和/或限制该凸点的横向、纵向位移的锁闭结构。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：采用临时键合胶、光刻胶或导电银浆进行所述临时键合。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述超薄晶圆上堆叠有晶圆或芯片。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于：在所述超薄晶圆上由硅通孔贯穿的第一表面和/或第二表面设置集成电路或微传感器结构，在该第一表面和/或该第二表面设置带互连线的互连层；通过所述互连线将所述硅通孔与所述集成电路或微传感器结构相连。

12.如权利要求6所述的方法，其特征在于：在所述转接板的设有重新布线层的第一表面和/或第二表面设置集成电路或微传感器结构；在所述转接板内设置贯穿该第一表面和该第二表面的硅通孔，通过所述重新布线层的互连线将该硅通孔与所述集成电路或微传感器结构相连。