[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极、半导体层和半导体层保护层；以及

形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的第一栅极保护层，和位于所述第一栅极保护层和所述半导体层之间的栅极隔离层；半导体层保护层位于半导体层与源极和漏极之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极隔离层在基板上的垂直投影与所述栅极在基板上的垂直投影重叠。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极隔离层为导电层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：第二栅极保护层，所述第二栅极保护层位于所述栅极隔离层和半导体层之间。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅极位于所述基板上；

所述第一栅极保护层位于所述栅极上；

所述栅极隔离层位于所述第一栅极保护层上；

所述第二栅极保护层位于所述栅极隔离层上；

所述半导体层位于所述第二栅极保护层上；

所述半导体层保护层位于所述半导体层上；

所述源极和漏极位于所述半导体层保护层上。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述源极和漏极位于所述基板上；

所述半导体层保护层位于所述源极和漏极上；

所述半导体层位于所述半导体层保护层上；

所述第二栅极保护层位于所述半导体层上；

所述栅极隔离层位于所述第二栅极保护层上；

所述第一栅极保护层位于所述栅极隔离层上；

所述栅极位于所述第一栅极保护层上。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上待形成薄膜晶体管各膜层的一侧。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：钝化层，所述钝化层位于所述源极和漏极上。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：钝化层，所述钝化层位于所述栅极上。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极保护层的厚度小于第一栅极保护层的厚度。

11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至10任一权项所述的薄膜晶体管。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：像素电极；所述像素电极与所述栅极隔离层同层设置，且通过过孔与所述漏极相连。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11或12所述的阵列基板。

14.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成栅极、源极、漏极和半导体层的过程，以及形成第一栅极保护层、栅极隔离层和半导体层保护层的过程；

所述第一栅极保护层位于所述栅极和半导体层之间，所述栅极隔离层位于所述第一栅极保护层和所述半导体层之间，所述半导体层保护层位于半导体层与源极和漏极之间。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成栅极、源极、漏极和半导体层的过程，以及形成第一栅极保护层和栅极隔离层的过程，具体为：

采用构图工艺在基板上形成栅极；

采用构图工艺在形成有所述栅极的基板上形成第一栅极保护层；

采用构图工艺在形成有所述第一栅极保护层的基板上形成栅极隔离层；

采用构图工艺在形成有所述栅极隔离层的基板上形成半导体层；

采用构图工艺在形成有所述半导体层的基板上形成半导体层保护层；

采用构图工艺在所述形成有半导体层保护层的基板上形成源极和漏极。