[发明专利]基于多维电场模式的光学传感式触摸屏及其制备方法

权利要求书

1.一种基于多维电场模式的光学传感式触摸屏，包括：具有栅极信号线、公共电极线和数据信号线的TFT阵列基板，所述栅极信号线和公共电极线布线方向相同，所述数据信号线与所述栅极信号线和公共电极线交叠设置，其特征在于，还包括：传感信号线、传感控制线、以及设置在所述传感信号线与所述传感控制线交叠处的光学传感单元；其中，

所述传感信号线设置在至少一条所述数据信号线的一侧且与所述数据信号线的布线方向相同；

将至少一条所述公共电极线设置为所述传感控制线；

每个所述光学传感单元与相邻的栅极信号线、传感信号线和传感控制线相连，用于在传感控制线和栅极信号线同时传递电信号时，将照射到所述光学传感单元的光强转化为电压信号通过所述传感信号线输出。

2.如权利要求1所述的光学传感式触摸屏，其特征在于，所述光学感应单元包括：光学感应器件和感应开关器件；其中，

所述光学感应器件与所述传感控制线和感应开关器件相连，用于在传感控制线传递电信号时，将照射到所述光学感应器件的光强转化为电压信号输出到感应开关器件；

所述感应开关器件与所述栅极信号线和传感信号线相连，用于在栅极信号线传递电信号时，将光学感应器件输出的电压信号传递给所述传感信号线。

3.如权利要求2所述的光学传感式触摸屏，其特征在于，所述光学感应器件为第一薄膜晶体管器件，所述感应开关器件为第二薄膜晶体管器件；其中，

所述第一薄膜晶体管器件的栅极和漏极与所述传感控制线相连，源极与所述第二薄膜晶体管器件的漏极相连；

所述第二薄膜晶体管器件的栅极与所述栅极信号线，源极与所述传感信号线相连。

4.如权利要求3所述的光学传感式触摸屏，其特征在于，所述TFT阵列基板具有设置于像素电极和公共电极之间的绝缘层，所述绝缘层与所述第一薄膜晶体管器件的漏极对应的区域无图案。

5.如权利要求4所述的光学传感式触摸屏，其特征在于，还包括：与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板具有的黑矩阵与所述第一薄膜晶体管阵器件的漏极对应的区域无图案。

6.如权利要求1-5任一项所述的光学传感式触摸屏，其特征在于，各所述传感信号线之间的间距相同，各所述传感控制线之间的间距相同。

7.如权利要求6所述的光学传感式触摸屏，其特征在于，各所述传感信号线之间的间距与各所述传感控制线之间的间距相同。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的基于多维电场模式的光学传感式触摸屏的制备方法，其特征在于，包括：

利用一次构图工艺，在TFT阵列基板的衬底上形成像素栅极和栅极信号线的图形、作为传感控制线的公共电极的图形、与所述传感控制线相连的第一薄膜晶体管器件栅极的图形、以及与所述栅极信号线相连的第二薄膜晶体管器件栅极的图形；

形成覆盖衬底的栅绝缘层，以及，利用一次构图工艺，形成位于栅绝缘层之上的像素有源层、源极和漏极的图形、与像素源极相连的数据信号线的图形、第一薄膜晶体管器件有源层、源极和漏极的图形、第二薄膜晶体管器件有源层、源极和漏极的图形、以及与第二薄膜晶体管器件源极相连的传感信号线的图形；

其中，所述第一薄膜晶体管器件和第二薄膜晶体管器件组成光学感应单元；用于在传感控制线和栅极信号线同时传递电信号时，将照射到所述光学传感单元的光强转化为电压信号通过所述传感信号线输出。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在形成覆盖衬底的栅绝缘层，还包括：利用一次构图工艺，形成位于栅绝缘层之上的公共电极的图形；

在形成像素有源层、源极和漏极的图形、第一薄膜晶体管器件有源层、源极和漏极的图形、以及第二薄膜晶体管器件有源层、源极和漏极的图形之后，还包括：

利用一次构图工艺，形成位于像素源极和漏极、第一薄膜晶体管器件源极和漏极、以及第二薄膜晶体管器件源极和漏极之上的绝缘层的图形；

利用一次构图工艺，形成位于绝缘层之上、公共电极上方的像素电极的图形。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的图形与所述第一薄膜晶体管器件的漏极对应的区域无图案。