[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

所述绝缘表面上的栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括铟；

所述氧化物半导体膜上的源电极层及漏电极层；以及

接触于与所述栅电极层重叠的所述氧化物半导体膜的区域的绝缘膜，该绝缘膜覆盖所述源电极层及所述漏电极层，

其中，残留物残留在所述氧化物半导体膜的表面上，该表面与所述绝缘膜接触，

并且，所述表面的所述残留物的面密度为1×10¹³atoms/cm²以下。

2.一种半导体装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

所述绝缘表面上的栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括铟；

所述氧化物半导体膜上的源电极层及漏电极层；以及

接触于与所述栅电极层重叠的所述氧化物半导体膜的区域的绝缘膜，该绝缘膜覆盖所述源电极层及所述漏电极层，

其中，残留物残留在所述栅电极层的表面上，

并且，所述表面的所述残留物的面密度为1×10¹³atoms/cm²以下。

3.一种半导体装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

所述绝缘表面上的栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括铟；

所述氧化物半导体膜上的源电极层及漏电极层；以及

接触于与所述栅电极层重叠的所述氧化物半导体膜的区域的绝缘膜，该绝缘膜覆盖所述源电极层及所述漏电极层，

其中，残留物残留在所述氧化物半导体膜的表面上及所述栅电极层的表面上，所述氧化物半导体膜的所述表面与所述绝缘膜接触，

所述氧化物半导体膜的所述表面的所述残留物的面密度为1×10¹³atoms/cm²以下，

并且，所述栅电极层的所述表面的所述残留物的面密度为1×10¹³atoms/cm²以下。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中所述残留物是氯、氟、硼、磷、铝、铁或碳其中之一。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜具有结晶-非晶混合相结构。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中所述栅电极层包含钼、钛、钽、钨、铝、铜、铬、钕及钪至少其中之一。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中所述栅电极层包括包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、铟锡氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物、铟锌氧化物或包含氧化钨的铟锌氧化物。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中与所述栅极绝缘膜接触的所述栅电极层包括包含氮的In-Ga-Zn类氧化物膜、包含氮的In-Sn类氧化物膜、包含氮的In-Ga类氧化物膜、包含氮的In-Zn类氧化物膜、包含氮的氧化锡膜、包含氮的氧化铟膜、InN或SnN。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中所述源电极层和所述漏电极层电连接到所述氧化物半导体膜。

10.一种电子装置，包括根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置。

11.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极，

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜，

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，

在所述氧化物半导体膜上形成导电膜，

通过使用包含卤素的气体蚀刻所述导电膜来形成源电极和漏电极；以及

在形成所述源电极和所述漏电极的步骤之后去除所述氧化物半导体膜上的残留物，

其中，所述残留物包括氯、氟、硼、磷、铝、铁和碳至少其中之一。