[发明专利]一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜及其制备方法无效

申请号：	201210401707.4	申请日：	2012-10-22
公开（公告）号：	CN103000706A	公开（公告）日：	2013-03-27
发明（设计）人：	张晨;张森林	申请（专利权）人：	江苏晨电太阳能光电科技有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;B32B9/00;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/44
代理公司：	南京经纬专利商标代理有限公司 32200	代理人：	张惠忠
地址：	223700 江苏省宿***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种晶体太阳能电池三层减反射膜及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜，其特征在于：其是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的二氧化硅薄膜，厚度为15-25nm，折射率为1.46-1.47；第二层膜为二氧化钛薄膜，厚度为40-60nm，折射率为2.08-2.36，第三层薄膜为氮化硅薄膜，厚度为20-70nm，折射率为2.1-2.5。

2.一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于它包括以下步骤：

(1)在扩散炉内用热氧化方法在晶体硅表面生长一层二氧化硅薄膜；

(2)采用溶胶凝胶法在步骤(1)的二氧化硅薄膜表面形成二氧化钛薄膜；

(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化钛薄膜上沉积一层氮化硅薄膜；

(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面电极、背场后进行烧结操作。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，其特征在于所述的步骤(1)的工艺条件为：通入氮气流量为5-35L/min，氧气流量为10-40 L/min，温度为600-700℃，反应时间10-40min。

4.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，其特征在于所述的步骤(2)包括如下步骤：

(1)将四氯化钛、无水乙醇混合，搅拌形成透明溶液，再滴加蒸馏水并搅拌均匀；

(2)将二氧化钛粒子加入上述溶胶中，超声分散处理40-50min，形成二氧化钛粒子分散的涂覆浆体；

(3)将上述二氧化钛涂覆浆体采用丝网印刷方法在二氧化硅薄膜表面印刷二氧化钛薄膜。

5.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，其特征在于所述的步骤(3)的工艺条件为：温度为480℃，氨气流量为2.7-3.1L/min，硅烷流量为11-14 L/min，射频功率4300瓦，持续时间1min。

6.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，其特征在于所述的步骤(3)的工艺条件为：氨气流量为3L/min，硅烷流量为12L/min。