[发明专利]具有稀土氧化物的半导体结构

权利要求书

1.一种具有稀土氧化物的半导体结构，包括：

半导体衬底；和

形成在所述半导体衬底上的交替堆叠的多层绝缘氧化物层和多层单晶半导体层,其中，与所述半导体衬底接触的所述绝缘氧化物层的材料为稀土氧化物或者二氧化硅，其余的所述绝缘氧化物层的材料为单晶稀土氧化物。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底的材料包括单晶Si、单晶SiGe、单晶Ge。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每层所述绝缘氧化物层的厚度不小于50nm。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘氧化物层的材料包括：(Gd_1-xEr_x)₂O₃、(Gd_1-xNd_x)₂O₃、(Er_1-xNd_x)₂O₃、(Pr_1-xLa_x)₂O₃、(Pr_1-xNd_x)₂O₃、(Pr_1-xGd_x)₂O₃、(Er_1-xLa_x)₂O₃中的一种或多种的组合，其中x的取值范围为0-1。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述单晶半导体层的材料包括：Si、Ge、SiGe、III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体中的任意一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每层所述单晶半导体层包括一层或多层结构。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每层所述绝缘氧化物层包括一层或多层结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，至少一层所述单晶半导体层的材料与其他所述单晶半导体层不同。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，至少一层所述绝缘氧化物层的材料与其他所述绝缘氧化物层不同。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述单晶半导体层具有应变。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，至少一层所述单晶半导体层具有与其他所述单晶半导体层不同的应变度。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，至少一层所述单晶半导体层具有与其他所述单晶半导体层不同的应变类型。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底的晶面指数包括（100）、（110）、（111）。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底的晶面指数为（100），所述单晶半导体层的晶面指数为（110）。

15.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘氧化物层和所述单晶半导体层均通过外延生长形成。