[发明专利]一种硅微通道板的氧化方法有效
申请号: | 201210402277.8 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN102956416A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 王连卫;彭波波;杨平雄 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司 |
主分类号: | H01J9/12 | 分类号: | H01J9/12;B81C1/00 |
代理公司: | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人: | 吴泽群 |
地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通道 氧化 方法 | ||
1.一种硅微通道板的氧化方法,其特征在于:具体步骤如下:
1)将硅微通道板切割成一定形状;
2)将硅微通道板置1号液和2号液中清洗;
3)在平面型石英舟上放置两块平行的硅片或石英棒,将清洗好的硅微通道板架在硅片或石英棒上氧化,石英棒或硅片的方向与气流方向平行。
2.根据权利要求1所述的硅微通道板的氧化方法,其特征在于:所述的氧化条件为:温度1000℃,干氧15分钟,湿氧三小时,再干氧15分钟。
3.根据权利要求1所述的硅微通道板的氧化方法,其特征在于:按体积比计,所述的1号液为氨水:双氧水:水=1:2:5;2号液为盐酸:双氧水:水=1:2:8。
4.根据权利要求3所述的硅微通道板的氧化方法,其特征在于:其中,按重量百分比计,所述的氨水浓度为25%-28%,双氧水浓度为30%,盐酸浓度为36-38%。
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