[发明专利]一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210402497.0 申请日: 2012-10-19
公开(公告)号: CN102904158A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 徐春祥;朱刚毅;理记涛;田正山;石增良 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01S5/32 分类号: H01S5/32;H01S5/327;H01S5/02
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 构筑 电泵浦 回音壁 zno 紫外 激光器 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明设计利用气相传输法或水热法制备高品质单晶ZnO微米棒,分离出单根ZnO微米棒并将之与有缓冲层的p型GaN结合,经过对缓冲层的处理,与GaN形成接触良好的pn结,接着在其表面溅射一层无机透明绝缘薄膜,其次利用反应离子刻蚀或者光刻技术使ZnO微米棒表面暴露,最后将石墨烯转移到ZnO微米棒表面作为电极,并在p型GaN表面制备电极,形成完整的器件。以上述方法和工艺流程获得的发光pn结能够获得高品质的电泵紫外回音壁模激光。

背景技术

自日本科学家和美国科学家相继发现了ZnO薄膜和纳米线中的紫外光辐射以来,ZnO成为设计紫外激光器的理想材料。ZnO微纳米结构中的紫外激射模式可以分为三种:随机激光、法布里珀罗(F-P)激光、回音壁模激光。在随机激光中,相干反馈是靠回程散射自发形成的,由于晶体边界散射严重造成光路中的光学损耗大,因此随机激射阈值十分高,并且激射模式不固定。F-P型激光其工作原理类似于传统的F-P腔激光器,两平行面相当于两个腔镜,然而由于ZnO两端界面处反射率较低,因此F-P模激射的阈值也比较高。回音壁模激射是利用光路在ZnO六边形微米棒中内不断全反射形成的,光学全反射能有效的将光线束缚在腔体内,因此光学损耗极其微弱,所以ZnO回音壁模微米棒能输出高品质因子和低阈值的激光辐射。

目前,上述三种模式ZnO的紫外激射在光泵浦下已经实现的,人们均采用了脉冲激光器泵浦ZnO微纳米结构以使粒子数发生反转,使得光学增益大于光学损耗以形成激光辐射。现有的研究工作已经开始着力于发展ZnO电致发光,由于人们难以获得稳定的p型ZnO材料。因此研究者通常在p型硅或p型GaN表面生长ZnO薄膜形成pn结,而这种薄膜pn结由于缺少合适的腔体结构,只能形成没有固定模式的随机激光。随机激光的稳定性和可重复性不强,而且激光波长是不可控的,所以随机激光仍然是不够理想的。ZnO微米棒具有六角纤维锌矿结构,提供一个理想的激光腔体结构,形成的回音壁模式有较低的激光阈值,固定的激光模式和输出方向,因此将ZnO微米棒作为微激光器的振荡微腔将是一个理想的选择。n型ZnO微米棒/缓冲层/p型GaN结构的回音壁模微激光器的制备已有报道。但是由于金属电极的不透光性,激光的在出射时造成了很大的损耗。用透明导电薄膜(如:氧化铟锡(ITO),氧锌铝(ZAO)等)作为电极,虽然透光性增强,却牺牲了载流子浓度。石墨烯具有高载流子浓度和高透光性,是作为电极的理想材料。

所以我们提出了石墨烯/n型ZnO微米棒/缓冲层/p型GaN这种结构,加入缓冲层既保证了pn结构,使各层之间良好的电学接触,又改善了ZnO微米棒腔体中的全反射条件,使光损耗会降低,增益提高。同时石墨烯作为电极提高了光的透射率,有利于激光品质的提高。

该方法首先利用气相传输法制备出ZnO微米棒单晶,然后将单根ZnO微米棒转移到有缓冲层的p型GaN上固定,通过对缓冲层的处理,ZnO微米棒与p型GaN之间能形成接触良好的异质结。然后在有ZnO微米棒的p型GaN表面制备一层绝缘薄膜(如:SiO2,Al2O3等透明绝缘材料),接着采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来,最后将石墨烯转移到暴露出ZnO微米棒衬底上,经过低温加压使石墨烯与ZnO微米棒良好接触;在p型GaN表面制备金属电极,构成完整的石墨烯/n型ZnO微米棒/p型GaN异质结微激光器。该方法制备的微激光器可以通过选择不同尺寸的ZnO微米棒以调制激光波长和模式,同时利用石墨烯的导电性和透光性实现高品质的紫外激光输出。

发明内容

技术问题:本发明的目的是提供一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的方法。其激光输出波长通过调节ZnO微米棒直径得到调控。

技术方案:本发明中,利用气相传输法制备高品质ZnO微米棒,分离出单根ZnO微米棒,并转移到有缓冲层的p型GaN衬底表面,经过处理形成良好的pn结。然后在GaN衬底表面制备一层绝缘薄膜(如:SiO2,Al2O3等透明绝缘材料),接着采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来,将石墨烯转移在露出ZnO微米棒的衬底上,经过低温加压使石墨烯与ZnO微米棒良好接触;最后在p型GaN表面制备金属电极,构成完整的石墨烯/n型ZnO微米棒/p型GaN异质结微激光器。本发明采用以下技术方案:

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