[发明专利]一种液晶显示装置

权利要求书

1.一种液晶显示装置，包括：薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括显示区和非显示区，所述显示区内设置有多条扫描线、多条数据线和多个薄膜晶体管；所述非显示区内设置多个调阻薄膜晶体管和多条外围引线，其特征在于：

所述外围引线设置在同一导电层，且每条外围引线通过两个调阻薄膜晶体管分别与两条扫描线相连接；

其中，预设第i个调阻薄膜晶体管的电阻R_i为定值，与之相对应的外围引线电阻为R_iL，则其他的任意第n个调阻薄膜晶体管的电阻R_n和与之相对应的外围引线电阻R_nL满足R_n+R_nL=R_i+R_iL。

2.根据权利要求1所述装置，其特征在于，所述调阻薄膜晶体管的沟道长度均为L。

3.根据权利要求2所述装置，其特征在于，所述第n个调阻薄膜晶体管的沟道宽度W_n满足：1Wn=1Wi-1LRs(ln-li)Coxμ[(Vgs-Vth)Vds-12Vds2];]]>

其中，所述W_i为第i个调阻薄膜晶体管的沟道宽度，R_s为所述外围引线的方块电阻，l_n为与所述第n个调阻薄膜晶体管相对应的外围引线长度，l_i为与所述第i个调阻薄膜晶体管相对应的外围引线长度，C_ox为所述调阻薄膜晶体管的寄生电容，μ为所述调阻薄膜晶体管内半导体层的载流子迁移率，V_gs为所述调阻薄膜晶体管内栅极与源极间的电压差，V_th为所述薄膜晶体管的阈值电压，V_ds为所述调阻薄膜晶体管内源极与漏极间的电压差。

4.根据权利要求1所述装置，其特征在于，所述外围引线分别与两个调阻薄膜晶体管的源极电连接。

5.根据权利要求4所述装置，其特征在于，一条扫描线与一个调阻薄膜晶体管的漏极电连接。

6.根据权利要求5所述装置，其特征在于，所述扫描线和调阻薄膜晶体管的栅极均位于第一金属层。

7.根据权利要求6所述装置，其特征在于，所述数据线和外围引线以及调阻薄膜晶体管的源极、漏极位于第二金属层。

8.根据权利要求7所述装置，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层之间设置有栅极绝缘层，且所述栅极绝缘层内设置有过孔。

9.根据权利要求8所述装置，其特征在于，漏极通过所述过孔与扫描线相连接。

10.根据权利要求1~9所述装置，其特征在于，所述调阻薄膜晶体管与所述显示区内的薄膜晶体管经过相同的步骤、同时制作出来。