[发明专利]存储器的可靠性测试方法有效
| 申请号： | 201210403218.2 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102903395A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 可靠性 测试 方法 | ||
1.一种存储器的可靠性测试方法，其特征在于，包括：
对存储器进行第一测试，判断存储器的第一测试结果是否大于或等于第一判断标准；
如果存储器的第一测试结果大于或等于所述第一判断标准，对所述存储器设置第一标识；
如果存储器的第一测试结果小于所述第一判断标准，对所述存储器设置第二标识；
对所述存储器进行老化处理；
对经过老化处理的存储器进行第二测试，判断存储器的第二测试结果是否大于或等于第二判断标准，所述第二判断标准低于所述第一判断标准；
如果存储器的第二测试结果大于或等于所述第二判断标准，则所述存储器为良品；
如果存储器的第二测试结果小于所述第二判断标准，判断所述存储器的标识类型，如果所述存储器设置的是第一标识，则所述存储器为差品；如果所述存储器设置的第二标识，则所述存储器为良品。
2.如权利要求1所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，对存储器进行第一测试的步骤包括：向存储器中写入“1”数据，对存储器中“1”数据进行读出，获得读出电流，所述读出电流为第一测试结果。
3.如权利要求2所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述第一判断标准为第一读出电流阈值，所述第二判断标准为第二读出电流阈值，所述第一读出电流阈值大于所述第二读出电流阈值。
4.如权利要求3所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述第一读出电流阈值与第二读出电流阈值的比值位于1.1~1.2的范围内。
5.如权利要求4所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述第一读出电流阈值为17μA，所述第二读出电流阈值为15μA。
6.如权利要求1所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述对所述存储器设置第一标识的步骤包括：在存储器的扇区内写入标示性的数据。
7.如权利要求6所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述对所述存储器设置第二标识的步骤包括：不在存储器中写入所述标示性的数据。
8.如权利要求7所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述判断所述存储器的标识类型的步骤包括：从存储器的扇区内读出数据，判断是否能读到所述标示性的数据。
9.如权利要求1所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述存储器为非易失存储器。
10.如权利要求9所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述存储器为闪存。
11.如权利要求1所述的存储器的可靠性测试方法，其特征在于，所述对所述存储器进行老化处理的步骤包括：使存储器在250℃的温度条件下持续72小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210403218.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
