[发明专利]背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法

权利要求书

1.一种制造背面穿硅通孔与金属连线的方法，其特征在于：

进行一穿孔中间制作工艺以于一半导体基板中形成一穿硅通孔结构；

于该半导体基板的正面形成一凸块；

将该半导体基板与一载板结合；

将该半导体基板的背面薄化以露出该穿硅通孔结构；

于该半导体基板的背面涂布一光敏性介电层；

将该光敏性介电层图案化而形成一开口而露出该穿硅通孔结构；

形成一凸块下金属层；

于该凸块下金属层上形成一金属层，填满该开口并覆盖于该光敏性介电层上方；

将该金属层图案化形成一背面金属连线；

移除多余的该凸块下金属层；以及

将该半导体基板与该载板分开。

2.根据权利要求1的制造背面穿硅通孔与金属连线的方法，其特征在于：

将该光敏性介电层图案化而形成该开口而露出该穿硅通孔结构的步骤包括下列步骤：

进行背面对准以取得穿硅通孔结构位置，

通过一与该穿硅通孔结构位置对准的光掩模对该光敏性介电层曝光，及

将该光敏性介电层显影，形成该开口以露出该穿硅通孔结构。

3.根据权利要求1的制造背面穿硅通孔与金属连线的方法，其特征在于：

于将该半导体基板的背面薄化以露出该穿硅通孔结构的步骤后，还包括：

对该半导体基板进行湿式清洗。

4.根据权利要求2的制造背面穿硅通孔与金属连线的方法，其特征在于：

以下述步骤制作该光掩模：

以一上视图的视角画出该半导体基板的穿硅通孔结构形状与位置及预定该背面金属连线形状与位置的第一图案；

将该第一图案取一镜像，以产生对该半导体基板背面的视角来看，该穿硅通孔结构形状与位置和预定该背面金属连线形状与位置的第二图案；以及

根据该第二图案制作该光掩模。

5.根据权利要求1的制造背面穿硅通孔与金属连线的方法，其特征在于：

该金属层包括铜。

6.一种制作背面用的光掩模的方法，其特征在于：

以一上视图的视角获得一半导体基板正面的穿硅通孔结构形状与位置及一预定的背面金属连线形状与位置的第一图案；

将该第一图案取一镜像，产生由该半导体基板背面的视角来看，该穿硅通孔结构形状与位置和该预定的背面金属连线形状与位置的第二图案；以及

根据该第二图案制作该背面用的光掩模。