[发明专利]检测设备和检测系统

权利要求书

1.一种检测设备，包括：

晶体管，其配置在基板上；

转换元件，其配置在所述晶体管上并连接至所述晶体管；

电容器，其相对于所述晶体管与所述转换元件并列连接，所述电容器在所述基板和所述转换元件之间包括：连接至所述转换元件的欧姆接触部、连接至所述欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与所述半导体部和所述欧姆接触部相对的位置处的导电部；以及

电势供给单元，用于向所述导电部选择性地供给用于在所述半导体部中积累载荷子的第一电势以及用于耗尽所述半导体部的第二电势。

2.根据权利要求1所述的检测设备，其中，

在与用于形成所述晶体管的半导体层的处理步骤相同的处理步骤中形成所述电容器的包括所述半导体部的半导体层，以及

在与用于形成所述晶体管的栅极的处理步骤相同的处理步骤中形成所述导电部。

3.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述电容器还包括被配置为与所述导电部相对的电极层，以及

所述电极层连接至被配置为隔着所述半导体部与所述欧姆接触部相对的另一欧姆接触部。

4.根据权利要求3所述的检测设备，其中，还包括用于向所述电极层供给固定电势的固定电势供给单元。

5.根据权利要求4所述的检测设备，其中，还包括：

驱动线，其连接至所述晶体管的栅极；以及

信号线，其连接至所述晶体管的源极和漏极中的一个，

其中，所述驱动线和所述信号线被配置在所述基板和所述转换元件之间。

6.根据权利要求5所述的检测设备，其中，所述电极层被配置在所述导电部和所述转换元件之间。

7.根据权利要求6所述的检测设备，其中，所述电极层被配置在所述信号线和所述转换元件之间。

8.根据权利要求6所述的检测设备，其中，

所述晶体管被配置为从所述基板起沿向上的方向依次配置所述半导体层、所述导电部以及所述电极层；以及

所述电极层被配置为在所述驱动线隔着绝缘层与所述信号线相交的交叉区域中，所述电极层位于所述驱动线和所述信号线之间。

9.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述半导体部和所述晶体管的半导体层由多晶半导体构成。

10.根据权利要求1所述的检测设备，其中，

存在均包括所述转换元件和所述电容器的多个像素，

其中，各像素还包括：第一薄膜晶体管，其具有连接至所述转换元件的栅极；第二薄膜晶体管，用于选择所述像素；以及第三薄膜晶体管，用于重置所述第一薄膜晶体管的栅极，以及

所述晶体管是所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管中的一个。

11.一种检测系统，包括：

根据权利要求1所述的检测设备；

信号处理单元，用于处理从所述检测设备供给的信号；

存储单元，用于存储来自所述信号处理单元的信号；

显示单元，用于显示来自所述信号处理单元的信号；以及

传送单元，用于传送从所述信号处理单元供给的信号。

12.一种检测设备，包括：

晶体管，其配置在基板上；

转换元件，其配置在所述晶体管上并连接至所述晶体管；

电容器，其连接至所述转换元件以将电容值加至所述转换元件，所述电容器在所述基板和所述转换元件之间包括：连接至所述转换元件的欧姆接触部、连接至所述欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与所述半导体部和所述欧姆接触部相对的位置处的导电部；以及

电势供给单元，用于向所述导电部供给用于将所述电容器的电容值加至所述转换元件的第一电势以及用于不将所述电容器的电容值加至所述导电部的第二电势。

13.一种检测系统，包括：

根据权利要求12所述的检测设备；

信号处理单元，用于处理从所述检测设备供给的信号；

存储单元，用于存储来自所述信号处理单元的信号；

显示单元，用于显示来自所述信号处理单元的信号；以及

传送单元，用于传送从所述信号处理单元供给的信号。