[发明专利]一种大马士革结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210404970.9 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102881649B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 姚嫦娲 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大马士革 结构 制作方法 | ||
1.一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层，所述的介质层的结构从下往上依次为通孔介质膜、中间停止层氮化膜、沟槽介质膜；
步骤S2：在所述的介质层表面上涂布第一光刻胶，经曝光和显影，在所述的第一光刻胶上形成通孔刻蚀图形；
步骤S3：经刻蚀和去胶，利用所述的通孔刻蚀图形刻蚀所述的介质层，在所述的介质层上形成通孔；
步骤S4：在所述的通孔中淀积氮化膜，形成通孔氮化膜，其中，在淀积所述通孔氮化膜时，有多余的氮化膜覆盖在所述通孔外部的介质层表面，去除所述介质层表面的多余氮化膜，使得通孔氮化膜只位于所述通孔中；
步骤S5：在所述的介质层表面上涂布第二光刻胶，经曝光和显影，在所述的第二光刻胶上形成沟槽刻蚀图形，沟槽刻蚀图形底部暴露出通孔氮化膜顶部和部分介质层表面；
步骤S6：经刻蚀和去胶，用所述的沟槽刻蚀图形刻蚀所述的沟槽介质膜，采用对所述沟槽介质膜的刻蚀速率大于对通孔氮化膜、中间停止层氮化膜的刻蚀速率，在所述的沟槽介质膜中形成沟槽，并停止于中间停止层氮化膜，同时所述通孔氮化膜保留在形成的所述沟槽中；
步骤S7：采用对通孔氮化膜、中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜相同的刻蚀速率，去除所述的通孔氮化膜，以及暴露在所述的沟槽底部的中间停止层氮化膜和所述的通孔底部的所述介质阻挡层氮化膜；
步骤S8：在所述通孔和所述沟槽内填充金属。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述通孔氮化膜封闭所述通孔顶部。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔氮化膜的芯部带有孔隙。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述通孔氮化膜的芯部孔隙的顶部到沟槽介质膜的顶部的深度不小于3000埃。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的中间停止层氮化膜的厚度为100-500埃。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于,在步骤S4中，采用湿化学磷酸法去除所述介质层表面的多余氮化膜。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔介质膜和所述的沟槽介质膜是氧化膜。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔介质膜和所述的沟槽介质膜是低介电材料。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S7中所采用的去除方法为湿化学磷酸去除法。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S8中还包括采用化学机械平坦化法将所述介质层表面多余的金属去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
